材料物理性能_(第五章_材料电导) .pptVIP

——扩散系数 ——离子绝对迁移率 由电导率公式 与上式，可以建立扩散系数 和离子迁移率 的关系： * 随着温度的升高，离子电导按指数规律增加。 低温下杂质电导占主要地位。（图5.12曲线1）。这是由于杂质活化能比基本点阵离子的活化能小许多的缘故。高温下（曲线2），固有电导起主要作用。 因为热运动能量的增高，使本征电导的载流子数显著增多。这两种不同的导电机构，使曲线出现了转折点A。 四.影响离子电导率的因素 1.温度 * * 电导率随活化能按指数规律变化，而活化能反映离子的固定程度，它与晶体结构有关。熔点高的晶体，晶体结合力大，相应活化能也高，电导率就低。 一价正离子尺寸小，电荷少，活化能小；高价正离子，价键强，所以活化能大，故迁移率较低。 除了离子的状态以外，晶体的结构状态对离子 活化能也有影响。显然，结构紧密的离子晶体，由于可供移动的间隙小，则间隙离子迁移困难，即活化能高，因而可获得较低的电导率。 2.晶体结构 * 离子晶体要具有离子电导的特性，必须具备以下条件： 1）电子载流子的浓度小； 2）离子晶格缺陷浓度大并参与电导。因此离子型晶格缺陷的生成及其浓度大小是决定离子电导的关键。 影响晶格缺陷生成和浓度的主要原因是： 1）由于热激励生成晶格缺陷。 2）不等价固溶掺杂形成晶格缺陷 3）离子晶体中正负离子计量比随气氛的变化发生偏离，形成非计量比化合物，因而产生晶格缺陷。 3.晶格缺陷 * 第三节 电子电导 一.电子迁移率 电子电导的载流子是电子或空穴（即电子空位）。 电子电导主要发生在导体和半导体中。能带理论指出，在具有严格周期性电场的理想晶体中的电子和空穴，在绝对零度下运动象理想气体在真空中的运动一样，电子运动时不受阻力，迁移率为无限大。 只有当周期性受到破坏时，才产生阻碍电子运动的条件。 令 ——电子的有效质量，晶体中电子的运动状 态也可写为 的形式。 * 对自由电子 。对晶体中的电子， 与 不 同， 决定于能态（电子与晶格的相互作用强度）。如图5.13，Ⅰ区 与 符合抛物线关系，属于自由电子的性质，即经典现象。在其底部附近 。在Ⅱ区，曲线曲率 为负值，有效质量为负值，即价带（满带）顶部附近电子的有效电子是负的。Ⅲ区为禁带，Ⅳ区有效质量是正的。有效质量比Ⅰ区小。此区电子称为“轻电子”。 * 第五章 材料的电导 第一节 电导的物理现象 第二节 离子电导 第三节 电子电导 第四节 玻璃态电导 第五节 半导体陶瓷的物理效应 * 第一节 电导的物理现象 一.电导的宏观参数 长L，横截面S的均匀导电体， 两端加电压V 根据欧姆定律 （5.1） 在这样一个形状规则的均匀材料，电流是均匀的，电流密度J在各处是一样的，总电流强度 （5.2） 1.电导率和电阻率 * 为材料的电阻率，电阻率倒数为电导率，即 ，上式可写为 同样 电场强度也是均匀的 （5.3） 把（5.2）（5.3）代入（5.1）则： 除以S得： * 这是欧姆定律的微分形式，适用于非均匀导体。 微分式说明导体中某点的电流密度正比于该点的电场，比例系数为电导率σ。 2.体积电阻与体积电阻率 图5.1中电流由两部分组成 因而定义体积电阻 表面电阻 代入上式得： * ——板状样品厚度（cm）， ——板状样品电极面积（cm2） ——体积电阻率（Ω?cm），它是描写材料电阻 性能 的参数，只与材料有关。 表示了总绝缘电阻、体积电阻、表面电阻之间的关系。由于表面电阻与样品表面环境有关，因而只有体积电阻反映材料的导电能力。通常主要研究材料的体积电阻。 体积电阻RV与材料性质及样品几何尺寸有关 * ?对于管状试样： * 对于圆片试样：两环形电极 、 间为等电位，其表面电阻可