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第12卷 第 1期 太 阳 能 学 报 Vo1．12， No．1 1991年 1月 tan．，100I AOTA ENERGIAE SOLARIS SINICA 不锈钢带为衬底的非晶硅太阳电 池表面减反膜的研究 陈惠明 逢 蓉 朱维嘉 (中国科学院上海硅酸盐研究所， 摘 要 利用高真空蒸发工艺，在不锈钢带为村雇曲非 晶硅 (简称a-Si)太阳电池透明电撮ITO膜表面， 淀积一层—}一光学厚度的舟质减反睡，可以使人射光通过ITo薄膜时选到或接近零反射，从而提 高了ITO／n+ip+a-Si／ss太阳电池的转换效率，提高的幅度最高可选24 。 以a—si为基体的太阳电池主要有=种基本 类 型；(1)glass／TCO／pina—Si／Metale， (2)TCO／p ina—Si(或nip+a—Si)／Metal(ss)。在第一种结构中，由于TCO膜能在温度较 高的玻璃衬底上淀积，故可 以获得透光率较高，方块 电阻较低的薄膜。而对第二种结 构，预 先制备的 Pin+a—Si(或nipa—Si)／Metal(SS)中的a-Si半导体材料不能承受较高的 温度。 现已确知，在a—Si材料表面淀积TOO时，若a～si／ss基底温度超过25O℃便会引引起a—sj太 阳电池性能的严重衰降，因此对淀积TOO膜肘的a-Si／SS基底温度有严格的要求。但在较低 衬底温度下用电子束反应蒸发制备的ITO膜，尽管采用增加淀积成型气氛中的氧分压 “和 严 格控制淀积速率，还是要影响ITO膜的透光率，而ITO透光率的大小正是影响 a—Si太 阳 电 池效率的因素之一。因此，在 以不锈锕为衬底的a-Si太阳电池上，使我们有可能进一 步 采 取措施，降底其表面反射率。具体做法是按实际制成的ITO膜折射指数，选取台适 的介 质 材料，用光学监控法在IT0膜表面淀积一层—争光学厚度的减反膜，降低ITO膜表面反射率， 使透明电极 ITO膜的绝对透射率接近甚至大于 1．0乜]。同时使整个电池表面在相 当宽 的可 见光范围内，或者说在 a-Si材料光谱响应最灵敏的波段范围内，光的反射率下降，从而提 高 电池的转换效率。目此，透 明电极透光率及 电池表面可见光反射率的研究是 a—si太 阳 电池 制作中常需考虑 的问题之一。 =、实 验 与 结 果 a-si太阳电池制作过程如下t首先在预处理过的不锈钢带上采用分室射频辉光 放 电淀 积法制备三层不同性质的a—si，即n (1∞A)a-Si／i(5000A)a—Si／p (500A)a-si，然后 将 试样移至K—DSO0具有光学监控设备的高真空沉积室中，用卤钨灯加热到 200--25022后，用 e型电子枪在氧分压4．9x10-’托气氛中反应蒸发 9otolIn2OI与lmolSn0】混合物，得— 厚 太 阳 能 学 报 2卷 ITO(750A)薄膜，监控波长550nm，最后在 电池的IT0膜表面淀积 5oooA厚的铝收集栅线， 即制成 a—sj太阳电池 。在室温大气条件下，用太阳摸拟器对 a—sj太阳电池进行光生，一 特 性铡定，按公式 = 。c×，。cXFF／入射光动率，计算出 a—si电池的转换效率。为了评价减 反膜 的效果，可在已铡定效率 的a-Si太 阳 电池ITO—A1栅线表面真空淀积一层光学 厚 o． ’ 度为— 的MgFz减反膜 (监控波长为 550nm) ；0． 4 一 后，再次铡定效率 以资比较。结果示于 募0． 闺l，其中曲线A、B分别是来加和加减反膜 孽 电池的 卜一 特性曲线。从这二条曲线可 见， 电池的开路 电压基本不变，短路 电