下册第1章半导体分立器件及其基本电路.ppt

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下册第1章半导体分立器件及其基本电路

1.1.2 N型半导体和 P 型半导体 1.1.2 N型半导体和 P 型半导体 1.1.2 PN结及其单向导电性 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 1.2 半导体二极管及其应用电路 1. 基本结构(一个PN结) 2. 伏安特性 3. 主要参数 二极管电路分析举例 稳压二极管 3. 主要参数 1.4 三极管及其放大电路 1. 基本结构 2. 电流分配和放大原理 (1) 三极管放大的外部条件 (2) 各电极电流关系及电流放大作用 4. 特性曲线 输入特性 输出特性 5. 主要参数 1. 电流放大系数,? 例2: 测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位值V1、V2、V3,判断管子的类型、材料及三个极。 例3:测得电路中三极管各极对地的电位值如下表所示,判断各管的工作状态及类型。 本章要求: 放大的概念: 1.4.1 共发射极放大电路的组成 4. 共射放大电路的电压放大作用 结论: 结论: 结论: 1. 实现放大的条件 2. 直流通路和交流通路 1.4.2 放大电路的静态分析 一、 用估算法确定静态值 二、 用图解法确定静态值 1.4.3 放大电路的动态分析 微变等效电路法 动态分析图解法 二、 非线性失真 1.4.4 静态工作点的稳定 1. 温度变化对静态工作点的影响 2. 分压式偏置电路 (1.) 稳定Q点的原理 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 例1: 解: (3) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 1.4.3 射极输出器 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 共集电极放大电路(射极输出器)的特点: 1.5 场效应管及其放大电路 1.5.1 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 15.9.2 场效应管放大电路 1.5.2 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 (2) 动态分析 应用举例?镍镉电池恒流充电电路 1.6 多级放大电路 阻容耦合: 例1: 解: 解: 解: 1.7 差分放大电路 1. 7. 1 差分放大电路的工作情况 1. 零点漂移的抑制 2. 信号输入 (3) 比较输入 1. 7. 2 典型差分放大电路 互补对称功率放大电路 对功率放大电路的基本要求 一. 互补对称功率放大电路 1. OTL电路 两管集电极电位呈等量同向变化,所以输出电压为零,即对共模信号没有放大能力。 (1) 共模信号 ui1 = ui2 大小相等、极性相同 差分电路抑制共模信号能力的大小,反映了它对零点漂移的抑制水平。 +UCC uo RC RB2 T1 RB1 RC RB2 RB1 + – ui1 ui2 + + – – T2 + – + – + – + – + – + – 共模信号 需要抑制 +UCC uo ui1 RC RB2 T1 RB1 RC ui2 RB2 RB1 + + + – – – T2 两管集电极电位一减一增,呈等量异向变化, (2) 差模信号 ui1 = – ui2 大小相等、极性相反 uo= (VC1-?VC1 )-(VC2 +? VC1 ) =-2 ?VC1 即对差模信号有放大能力。 + – + – + – + – + – + – 差模信号 是有用信号 G S D G S D 增强型 N沟道 P沟道 G S D G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定 电压才形成导电沟道 在制造时就具有 原始导电沟道 (1) 开启电压 UGS(th):是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off): (3) 饱和漏电流 IDSS: 是结型和耗尽型 MOS管的参数 (4) 低频跨导 gm:表示场效应管放大能力,衡量 栅源电压对漏极电流的控制能力 极限参数:最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。 电流控制 电压控制 控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道 放大参数 rce很高 rds很高 输出电阻 输入电阻 较低 较高 双极型三极管 单极型场效应管 热稳定性 差

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