超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟.doc

超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟 第45卷第4期 2011年4月 原子能科学技术 AtomicEnergyScienceandTechnology Vo1.45.NO.4 Apr.2011 超深亚微米SO1NMOSFET中子辐照效应数值模拟 胡志良,贺朝会,张国和,郭达禧 (西安交通大学能源与动力工程学院,陕西西安710049) 摘要:考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOINMOSFET的中子辐照效应.分析了中子位移辐照损伤机 理,数值模拟l『3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中 子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SO1NMOSFET的影响.数值模拟部分结果与反应堆中子 辐照实验结果一致. 关键词:中子辐照;超深微米;SOINMOSFE2,;数值模拟 中图分类号:TN386.】文献标志码:A文章编号:1000～6931(2011)04—0456—05 SimulationforNeutronRadiationEffects onSuperDeepSubmicronSO1NMOSFET HUZhiliang,HEChao—hui,ZHANGGuo—he,GUODa—xi (SchoolofEnergyandPowerEngineering,XinJiaotongUniversity.Xian710049,China) Abstract:Theneutronradiationeffectsonthreedifferentsizesofsuperdeepsubmicron SOINMOSFET(O.25m,0.18mand0.09um)werestudied.Themechanismsof neutronradiationdamagewereanalyzed.Theoutputcharacteristicparametersofthe threetypesofdeviceschangingwithdifferent1MeVequivalentneutronfluencesandthe influenceoftheprocessparametersofthedevicesonneutronradiationdamagewere simulated.Theresultsofsimulationandexperimentagreewel1. Keywords:neutronradiation;superdeepsubmicron;SOINMOSFET;numericalsimulation 相对于传统的体硅器件,SOI器件具有更 小的寄生电容,工作速度快,对软实效的敏感性 低等优点_J,同时具有很强的抗辐照能力,广泛 应用于空间和军事领域l.近年来,对SOI器 件的抗辐照性能进行了大量研究,其主要工作 是对一些辐射加固和俘获电荷的产生机制进行 物理分析],但因其物理过程复杂,很多问题 还在探讨中.目前,国内外有关中子辐照超深 亚微米MOSFET的相关报道较少,西北核技 术研究所曾用DAVINCI模拟中子辐照超深亚 微米NMOSFET,但就单纯探讨中子位移损伤 对SOl器件影响及器件抗中子辐照几何参数 优化问题尚未见报道.本工作就超深亚微米 SOINMOSFET中子位移损伤问题进行尝试 性研究,旨在初步弄清中子位移损伤对超深亚 微米SOINMOSFET电学性能的影响,为抗中 子位移辐射加固研究提供理论依据和技术 支持. 收稿日期:2010—0125;修回日期:2O100503 基金项目:教育部博士点基金资助项目(20100201110018) 作者简介:胡志良(1984),男,湖南岳阳人,硕士研究生,核能科学与工程专业 第4期胡志良等:超深亚微米SO1NMOSFE1,中子辐照效应数值模拟457 l中子位移损伤机理 中子不带电,其穿透能力极强,与半导体材 料作用易形成弗伦克尔缺陷.对于硅,快中子 的碰撞截面约为l0.～10一cmE63,这意味着 只有极少数快中子能产生缺陷团,当在较低注 量快中子辐照时,位移缺陷均匀地,稀疏地分布 在整个样品体内,平均位移损伤密度很低]. 其在禁带中形成新的电子能级,可充当载流子 的产生复合中心,对有效载流子浓度,载流子迁 移率,SiO一Si界面复合速率,特别是少数载流 子寿命有很大影响. 中子位移效应可有效地改变半导体材料 (如Si,GaAs等)的微观性质,少数载流子寿命 的退化是半导体器件对中子辐射敏感的主要原 因.本工作选用的中子注量为1×10～5× 10CITI_.,其中少数载流子寿命随辐照注量的 关系为: 1/r一1/+/K(1) 式中:r为在辐照注量为时少数载流子寿命; r.为辐照前少数载流子寿命;K为辐照损伤 系数,K一7X10s/cm..