第14章 半导体器件习题.ppt

第 14 章 二极管和晶体管 1. P 型半导体中空穴是多数载流子，因而 P 型半导体正电；N 型半导体中自由电子是多数载流子，因而 N 型半导体带负电。这种说法是否正确。 【答】这种说法不正确。P 型半导体和 N 型半导体本身并 不呈带电性。 返 回 下一题 上一题 分析与思考解答 返 回 下一题 上一题 2. 为什么说扩散运动是多数载流子的运动，漂移运动是少数载流子运动？ 【答】 因为扩散运动是多数载流子因为浓度上的差异而形成的运动，而漂移运动是少数载流子在内电场作用下形成的运动。 3。 试从正向电压，反向饱和电流的大小以及温度的影响等方面比较，硅管和锗管的优点。 【答】 从正向电压降看，硅管的正向电压降比锗管的大，这是锗管的优点;从反向饱和和电流看,硅管的反向饱和电流比锗管小，这是硅管的优点；从温度的影响看，温度增加时,会引起反向饱和电流增大，而反向击穿电压减小。这方面锗管比硅管对温度更为敏感，这也是锗管不如硅管的地方。 返 回 下一题 上一题 4. 试分析图 4 所示整流电路中的二极管 D2或 D4 断开时负载电压的波形,如果 D2 或 D4 接反，后果如何？如果 D2 或 D4 因击穿或烧坏而短路，后果如何？ 4 返 回 下一题 上一题 返 回