最新敏感材料与传感器教学课件PPT半导体材料.ppt

什么是半导体 按不同的标准，有不同的分类方式。 按固体的导电能力区分，可以区分为导体、半导体和绝缘体 表1.1 导体、半导体和绝缘体的电阻率范围 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降（NTC） 如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃，电阻率相应地降低50%左右 微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力(掺杂效应) 以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质（比如磷）为例，这时 硅的纯度仍高达99.9999%，但电阻率在室温下却由大约214,000Ωcm降至0.2Ωcm以下 适当波长的光照可以改变半导体的导电能力(光电效应) 如在绝缘衬底上制备的硫化镉(CdS)薄膜，无光照时的暗电阻为几十MΩ，当受光照后电阻值可以下降为几十KΩ 此外，半导体的导电能力还随电场、磁场等的作用而改变(霍尔效应等) 本征半导体广泛研究的元素是Si、Ge和金刚石。金刚石可看作是碳元素半导体，它的性质是1952年由Guster发现的。除了硅、锗、金刚石外，其余的半导体元素一般不单独使用。 因为本征半导体单位体积内载流子数目比较少，需要在高温下工作电导率才大，故应用不多。 利用将杂质元素掺入纯元素中，把电子从杂质能级（带）激发到导带上或者把电子从价带激发到杂质能级上，从而在价带中产生空穴的激发叫非本征激发或杂质激发。这种半导体叫杂质半导体。 杂质半导体本身也存在本征激发，一般杂质半导体中掺杂杂质的浓度很低，如十亿分之一就可达到目的。 导体的能带中都有末被填满的价带，在外电场的作用下，电子可由价带跃迁到导带，从而形成电流。 绝缘体的能带结构是满带与导带之间被一个较宽的禁带所隔开，在常温下几乎很少有电子可以被激发越过禁带，因此其电导率很低。 半导体的导电机理 半导体价带中的电子受激发后从满价带跃到空导带中，跃迁电子可在导带中自由运动，传导电子的负电荷。同时，在满价带中留下空穴，空穴带正电荷，在价带中空穴可按电子运动相反的方向运动而传导正电荷。因此，半导体的导电来源于电子和空穴(?)的运动，电子和空穴都是半导体中导电的载流子。 4.半导体敏感元件 4. 1 射线敏感元件 4.2 电场、磁场敏感元件 4.3 化学敏感元件 色谱法 色谱法:一种分离技术 由俄国植物学家Tsweett创立 原理 使混合物中各组分在两相间进行分配,其中一相是不动的(固定相),另一相(流动相)携带混合物流过此固定相,与固定相发生作用,在同一推动力下,不同组分在固定相中滞留的时间不同,依次从固定相中流出,又称色层法,层析法 附件材料 2．电阻率随温度的变化 低温段 中温段: 杂质全部电离，n不变 高温段 4.2.2 磁场敏感元件 半导体磁场敏感元件可分为磁阻效应型、霍尔效应型和载流子偏转型三类。 无论哪一种类型都是利用来自磁场的洛仑兹力对电子或空穴的作用。 作为半导体，若优先考虑灵敏度则选择电子迁移率大的InSb和InAs；若要求温度稳定性好则选择禁带宽度大的GaAs；若要求具有信号处理功能而做成集成电路时，则倾向于选择硅。 4.2 电场、磁场敏感元件 4.2.2.1磁阻效应型敏感元件 磁阻效应 磁阻元件是利用磁场一旦加在半导体上半导体的电阻就增加的磁阻效应做成的敏感元件。 此元件有两个端子，在此元件中半导体电阻率增加的同时还包括电流分布随磁场而变、电流路径变长、电阻增加的形状效应。 4.2 电场、磁场敏感元件 在电阻率增加效应中，当磁场强度B不那么大时，电阻率的增加为： 敏感元件的输入电阻RB可由下式求出： V为输入电压；I为输入电流；R0、?0为没有磁场作用时的输入电阻和输入电阻率；gm为由形状效应引起的电阻增加率。 4.2.2.1磁阻效应型敏感元件 4.2.2.2 霍尔效应型敏感元件 这种敏感元件是利用霍尔效应将磁场强度变为电压的敏感元件，其特点是输出信号电压与磁场成正比，并可判定磁场的极性。 利用磁场强度B、控制电流Ic、霍尔系数RH、元件厚度d和形状效应系数fH，霍尔电压可由下式表示： 4.2 电场、磁场敏感元件 磁场的精密测量 4.2.2.2 霍尔效应型敏感元件 测试原理： VH正比于磁场强度B和电流Ic，而与厚度成反比，所以希望制成薄膜形状。RH与材料有关，是物质固有的常数，从而必须选择对于载流子种类、浓度、迁移率适当的半导体。虽然迁移率大好，但必须综合考虑温度特性、强度、加工性等，这随用途而异。 材料体系：作为典型的磁敏材料，可使用InSb、InAs、GaAs、Ge、Si等材料，磁场的精密测量可使用温度系数小的InAsP，而利用Si、GaAs可望实现集成化。 4.2 电场、磁场敏感元件 4.2.2.3 载流子偏转型敏感元件 （a）