微电子制造工艺课程教学大纲.docVIP

目 录 集成电路工程领域 《半导体器件物理》课程教学大纲 1 《微电子制造工艺》课程教学大纲 2 《模拟集成电路设计》课程教学大纲 3 《数字集成电路设计》课程教学大纲 4 《超大规模集成电路基础》课程教学大纲 5 《半导体器件物理》课程教学大纲 课程名称（中文）：半导体器件物理 学分数：2 课程名称（英文）：Semiconductor Devices 课内学时数：60 上机时数：10 课外学时数：60 教学方式：授课及上机 教学要求： 使学生掌握微电子学中半导体器件基本原理、物理机制和特性，为进一步学习有关器件的专门知识以及IC设计打下必要的基础。 课程主要内容：（ 字以内） 双极晶体管（含异质结双极晶体管） 化合物半导体场效应晶体管 MOSFET以及相关器件 量子效应和热电子器件 教材名称：现代半导体器件物理，施敏，科学出版社。 主要参考书： 半导体器件物理，施敏，电子工业出版社。 预修课程： 半导体物理 适用专业： 电子与通信 《微电子制造工艺》课程教学大纲 课程名称（中文）：微电子制造技术 学分数：2 课程名称（英文）：Microelectronic Manufacturing Tec