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【NI教程】测试系统的不二之选：系统源测量单元(SMU)目录基于NI SourceAdapt技术的 NI PXIe-4139系统源测量单元NI PXIe-4139 技术细节应用示例——DC-DC转换器测试应用示例——LED特性描述SMU助力您的下一个测试系统1. 基于NI SourceAdapt技术的 NI PXIe-4139系统源测量单元源测量单元(SMU)是一种精密测量仪器，可同时对同一通道的电流和电压进行同步源测量。该功能使得源测量单元成为从精准直流电源到记述分立元件或集成电路等半导体组件的特性等各种应用的理想之选。?某些源测量单元针对特定的应用或者需求作了优化，例如泄露测试、大功率IV扫描、为具有快速瞬态响应的移动设备供电。这些仪器完美地提供了某一特定的功能，但是您可能需要多个这样的源测量单元来完全记述需要各种不同激励或功能的设备的特性。或者，您也可以选择系统源测量单元，它将高功率、高精度、高速源测量功能集成到单个仪器上，使您能够执行各种不同的功能以及通过同一接口进行各种不同的设备测试。这不仅简化了连接，而且减少了使用仪器的种类和数量，降低了测试系统的占地空间和总体成本。?NI PXIe-4139?将传统的箱式源测量单元的高功率和精确度以及NI技术集于一身，具有更快速、更灵活、更小巧的特性。这种结合使得NI PXIe-4139不仅能够实现传统源测量单元之外的功能，而且变成一款多功能的仪器，可用作为：精准电源快速瞬变电源电压表、电流表或欧姆表隔离高压/电流数字化仪高电压/电流序列发生器脉冲发生器可编程负载低频交流阻抗计?将多种功能集成到单个仪器使得NI PXIe-4139成为测试各种不同设备的理想之选，这些设备可能包含以下需求：高功率输入输出，同时具有高速采样功能，例如电源管理集成电路(PMIC)高速瞬态响应，例如射频电源放大器精准测量及大功率脉冲扫频，例如功率晶体管和高亮度LED通过同一接口进行精准IV和低频电容测量，例如微型机电系统设备(MEM)?由于NI PXIe-4139的模块化特性和紧凑的尺寸，您可以将几个源测量通道集成到混合信号自动化测试应用中，或者借助单个4U PXI机箱中的17个源测量单元通道来搭建高密度半导体测试系统。?2. NI PXIe-4139 技术细节NI PXIe-4139所具有的宽功率范围、高测量精度可以满足大部分直流测试需求。此外，NI-PXIe-4139扩展了传统源测量单元的功能，实现了快速采样、快速更新以及基于NI技术的源测量单元响应自定义化。这使得源测量单元能够用于各种不同的应用，而此前则需要连接各种外部仪器，如示波器、函数发生器或高度专业化的电源。?规格特性更宽范围脉冲NI PXIe-4139可以产生高至500 W的脉冲，这使您可以快速测试大功率设备的IV特性而无需串联多个源测量单元。在更宽的脉冲范围下进行测试不仅可以使源测量单元在其常规的IV范围之外运行，而且可以最小化待测设备(DUT)的散热量，减少对热能管理基础设备的需求。?SourceAdapt技术NI PXIe-4139采用了新一代NI SourceAdapt技术，使您可以自定义源测量单元的控制循环，从而实现对任意给定负载的最优响应——即使是高电容或者电感负载。消除过压不仅保护了待测设备，而且也消除了振荡引发的系统稳定性问题。此外，上升和下降时间的最小化也可帮助您最大程度缩短测试时间。?这个功能对高电容负载特别重要，因为它可以避免损坏待测设备或者仪器。传统的源测量单元使用固定的模拟控制循环，通过从“常态”跳转到“高电容”模式来防止源测量单元陷入不稳定状态。但是，在高电容模式运行时，源测量单元的上升时间被极大地限制了，电容负载通常被限制在50 uF。由于SourceAdapt技术可让您直接访问源测量单元的数字控制循环，因此您可以优化任意负载的源测量单元响应，即使是针对2,500 uF的电容器，如下图所示。[+] 放大图片如上图所示，源测量单元为一个电容2,500 uF和电阻2Ω的待测设备提供了源电压。电压最高值为3.3 V，电流达到极值10 A后大约停留了1 ms。如果不采用SourceAdapt技术，在这种无功负载状态下，传统的源测量单元可能会变得不稳定，并且有可能会损坏待测设备或仪器。3. 应用示例——DC-DC转换器测试测试电源管理集成电路(PMIC)，如下图所示的德州仪器公司的降压转换器，需要配置两个源测量单元。第一个源测量单元为待测设备提供了特定电压的输入电源。第二个源测量单元通过增量扫描电流充当负载。?通过测量待测设备输入输出端的电压电流，就可以计算出该DC－DC转换器的功率效率。如下图所示。NI PXIe-4139提供了宽IV范围和硬件定时的序列引擎，使其成为从低功率到高功率快速扫描的理想选择。?此外，NI P