微电子学与固体电子学过渡金属氧化物阻变存储器动态特性的蒙特卡洛仿真.docxVIP

分类号： TN303；TN304.9 密级：天津理工大学研究生学位论文过渡金属氧化物阻变存储器动态特性的蒙特卡洛仿真（申请硕士学位）学科专业：微电子学与固体电子学研究方向：半导体材料与器件作者姓名：刘凯指导教师：张楷亮教授2013年1月Thesis Submitted to Tianjin University of Technologyfor the Master’s DegreeMonte Carlo Simulation on the Dynamic Characteristics of Transitional Metal Oxide Resistive Switching MemoryByKai LiuSupervisorProf. Kailiang ZhangJanuary, 2012交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究成果，除了文中特别加以标注和致谢之处外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得天津理工大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。学位论文作者签名：签字日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解天津理工大学有关保留、使用学位论文的规定。特授权天津理工大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数