知识链接二数字万用表的使用.ppt

项目一 单相整流电路的制作与检测;[知识链接一] 二极管的基本知识; （2）光敏性 半导体的导电能力对光照辐射也很敏感。光照越强导 电能力越强，利用半导体的光敏特性可以制成光敏电阻、 光敏二极管、光敏晶体管等。 （3）掺杂性 在纯净的半导体中掺入微量杂质，可以显著提高它 的导电能力。掺杂浓度越高，导电性就越强。 2、本征半导体 纯净的没有杂质的单晶体结构的半导体，叫本征半 导体。目前常用的半导体材料有硅、锗等。 ;图1-1-1 共价键结构示意图 ; （1）Ｎ型半导体 　　本征半导体中掺入了微量５价元素如磷（Ｐ），其平面模型如图１-１-３所示。 ; （2）Ｐ型半导体 　　本征半导体中掺入了微量三价元素如硼(B),其平面模型如图1-1-4所示 ;二、PN结及其单向导电性 1、PN结的形成;图1-1-6 PN结上加正向电压;三、半导体二极管;图1-1-10 二极管的符号;◆思考与练习 1、半导体与金属导电相比较，有什么特点？ 2、本征半导体的导电能力为什么不如掺杂半导体？ 3、PN结具有什么重要的特性？ 4、通常小功率硅管的正向压降是多少伏？ 小功率锗管的正向压降是多少伏？;[知识链接二] 数字万用表的使用 ;图1-1-12 数字万用表DT9204外形; （3）测试黑色表笔插入COM插孔，红色表笔则按被测量种类、大小分别插入各相应的插孔（电压、电阻、二极管测量公用右下角“VΩ”插孔；电流在200mA以下时插入mA插孔， 200mA～20A之间将红表笔移至20A插孔）。 （4）测量直流信号时能自动进行极性转换并显示极性。当被测电压（电流）的极性接反时，会显示“-”号，不必调换表笔。 （5）测量电阻时，应先估计被测电阻的阻值，尽可能选用接近满度的量程，这样可提高测量精度。如果选择挡位小于被测电阻实际值，显示结果只有高位上的“１”，说明量程选得太小，出现了溢出，这时就要更换高一挡量程后再进行测试。; 2、注意事项 （1）当只在高位显示“1”时，说明已超过量程，需调高挡位。 （2）注意不要测量高于1000Ｖ的直流电压和高于750Ｖ的交流电压。20Ａ插孔没有熔丝，测量时间应小于15s。 （3）切勿误接功能开关，以免内外电路受损。 （4???电池电量不足时，显示屏左上角显示“ ”符号，此时应及时更换电池。 （5）其它使用事项可参阅模拟万用表。 ;[知识链接三] 示波器的使用;图1-1-14 示波器的面板图; 一、基本操作： 1、测量前的准备工作 (１)检查电源电压　接通电源前务必先检查电压是否与当地电网一致，然后将控制元件按表1-1-1设置： ;;（a）最佳补偿 ; 2、信号测量的步骤 （1）将被测信号输入到示波器通道输入端。注意输入电压不可超过400Ｖ［DC＋AC（p-p）］。使用探头测量大信号时，必须将探头衰减开关拨到×10位置，此时输入信号缩小到原值的１／10。实际的VOLTS／div值为显示值的10倍。如果VOLTS／div为0.5Ｖ／div，那么实际值为0.5Ｖ／div×10＝5Ｖ／div。测量低频小信号时，可将探头衰减开关拨到×１位置。如果要测量波形的快速上升时间或高频信号，必须将探头的接地线接在被测量点附近，减小波形的失真。 （2）按照被测信号参数的测量方法不同，选择各旋钮的位置，使信号正常显示在荧光屏上，记下一些读数或波形。测量时必须注意将Y轴增益微调和X轴增益微调旋钮旋至“校准”位置。因为只有在“校准”时才可按开关“Ｖ／div”及“Ｔ／div”指示值计算所得测量结果。同时还应注意，面板上标定;的垂直偏转因数“Ｖ／div”中是指的峰—峰值。 （3）根据记下的读数进行分析、运算和处理，得到测量结果。 3、示波器的基本测量方法 　　示波器的基本测量技术是利用它显示被测信号的时域波形，并对信号的基本参数如电压、周期、频率、相位、时间等时域特性的测量。 （1）电压测量 １）电压定量测量　　将“Ｖ／div”微调旋钮置于CAL位置，就可进行电压的定量测量。测量值可由以下公式算出。 ①用探头“×1”位置测量：电压=设定值×输入信号显示幅度 ②用探头“×10”位置测量：电压=设定值×输入信号显示幅度×10 ２）直流电压测量　　在测量直流电压时，本仪器具有高输入阻抗、高灵敏度、快速应直流电压表的功能。测量规程如; ①置“扫描方式”开关于AUTO，选择扫描速度使扫描不发生闪烁的现象。 ②置“AC－GND－DC”开关于GND，调节垂直“位移”使该扫描线准确地落在水平刻度线上，以便于读取信号电压。 ③置“AC－GND－DC”开关于DC，并将被测电压加至输入端，扫描线的垂直位移