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集成电路制造技术_氧化
第二章 氧 化 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 2.4 影响氧化速率的因素 2.4.1 决定氧化速率常数的因素 1.氧化剂分压 设C* 和Pg分别为平衡 时SiO2中氧化剂浓度和 气体中的氧化剂分压。 ∵C* =Hpg(亨利定律) B=2DOX C*/N1 ， A=2DOX(ks-1+h-1)， ∴A与pg 无关； B∝pg ， B/A∝pg ； （线性关系） 2.4 影响氧化速率的因素 2.4.1 决定氧化速率常数的因素 2.氧化温度 与抛物型速率常数B的关系： ∵ B=2DOX C*/N1 ｛Dox =D0 exp(-ΔE/kT) ｝ ∴ B与氧化温度是指数关系 2.4 影响氧化速率的因素 2.4.1 决定氧化速率常数的因素 2.氧化温度 与线性速率常数B/A的关系 ∵ B/A=C*·Ks·h/(Ks+h) ·N1-1 ≈ ks·C*/N1 而 ks=ks0exp(-Ea/kT) ∴无论干氧、湿氧，氧化 温度与B/A是指数关系 2.4 影响氧化速率的因素 2.4.2 影响氧化速率的其它因素 1.硅表面晶向 ∵ DOX与Si片晶向无关，ks与Si表面的原子密度 (键密度）成正比； ∴ 抛物型速率常数B=2DOX C*/N1，与Si晶向无关； 线性速率常数B/A ≈ ks·C*/N1，与Si晶向有关： 因此（111）面的B/A比 （100）面大。 2.4 影响氧化速率的因素 2.4.2 影响氧化速率的其它因素 2.杂质 ①硼：在SiO2中是慢扩散，且分凝系数m1； （m=杂质在Si中的平衡浓度/杂质在SiO2中的平衡浓度） 氧化再分布后：大量硼从Si进入SiO2中，使非桥键氧增 加，降低了SiO2的网络强度，导致氧化剂DOX增加， 进而导致抛物型速率常数B明显增加，但B/A无明显 变化。 2.4 影响氧化速率的因素 2.4.2 影响氧化速率的其它因素 ② P: 分凝系数 m1 氧化再分布后：少量的P分凝到SiO2中，使氧化剂 在SiO2中的扩散能力增加不多，因而抛物型速率常数B 变化不大；大部分P集中在Si表面，使线性速率常数 B/A明显增大。 2.4 影响氧化速率的因素 2.4.2 影响氧化速率的其它因素 2.4.2 影响氧化速率的其它因素 ③水汽 干氧中，极少量的水汽就会影响氧化速率； 水汽会增加陷阱密度。 ④钠 钠以Na2O的形式进入SiO2中，使非桥键氧增加，氧化剂的扩散能力增加，但SiO2强度下降了。 ⑤氯 氯的作用：固定重金属、Na+等杂质；增加Si中的少子寿命；减少SiO2中的缺陷；降低界面态和固定电荷密度；减少堆积层错。 * * *
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