青海7年第一批重大科技专项.docVIP

附件3 青海省二○一七年重大科技专项 项目计划表 青海省科学技术厅 二○一七年四月  目录 二〇一七年度重大科技专项项目汇总表 3 青海省二〇一七年重大科技专项项目表 4 一、重大科技专项 4  单位：万元 计划类别 项目数 总投入 科技投入 2017年资助 2018年资助 2019年资助 2020年资助 一、重大科技专项 5 134584.3 55720 7500 3500 1460 1000 1540  青海省二〇一年项目表 编号 名称 及指标 承担单位 项目负责人 经费（万元） 总投入 科技投入 拟资助 2017年资助 8年资助 9年资助 20年资助 专项 2017-GX-A1 光电新材料关键技术研发及产业化 研究内容：1、高性能氮化铝陶瓷粉体制备技术研究，解决高活性高活性γ-Al2O3 粉体表面改性、氮化铝粉体组分优化设计、前驱体合成、碳热还原合成及氮化铝粉体表面改性等环节的技术问题，突破高性能氮化铝陶瓷粉体连续式自动化大批量制备关键核心技术，形成产业化能力；2、第三代碳化硅半导体材料制备技术研究，重点开展高纯碳化硅粉的合成技术、SiC 单晶晶体生长及晶型缺陷控制技术、SiC 单晶衬底表面加工及硅单晶片清洗工艺技术、SiC 外延生长及缺陷控制技术研究，建立SiC 单晶和外延材料批量生长技术及质量评价体系；3、蓝宝石导模法长晶工艺研发研究。研究开发连续式加料技术、籽晶提拉工艺技术、晶片生长智能控制技术以及模具、坩埚及保温屏和双区热场，解决导模法蓝宝石晶片生长过程中能耗高、生长效率低以及缺陷等问题。预期成果：1、申请专利15件，授权专利8件；2、省级科技成果鉴定1项；3、制定技术标准2件；4、培养各类技术人才20名。技术指标：1、氮化铝粉体产品指标：C≤500ppm，O≤1.20%，粒度分布（μm）：D50≤1.30，D90≤3.20；比表面积≥2.8m2/g；2、第三代碳化硅半导体材料产品指标：4 英寸和6 英寸衬底片：衬底XRD 摇摆曲线半高宽小于60arcsec；微管密度小于5 个/cm2；表面粗糙度小于0.2nm；形貌-20Bow20、Warp≤30、TTV≤15、SBIR≤4；衬底片直径100mm±0.5mm（4 英寸），150mm±0.25mm（6 英寸）；3、碳化硅外延片产品指标：外延材料XRD 摇摆曲线半高宽小于60arcsec；表面缺陷密度MPD0.2个/cm2、BPD500个/cm2、TSD300个/cm2；外延材料厚度不均匀性：小于3%；外延材料浓度不均匀性：小于5%；平整度：-20Bow20,Warp≤30，TTV≤15，SBIR≤4；表面颗粒：大于92%区域无；4、蓝宝石晶片产品指标：晶片尺寸：350×80×20mm；位错密度＜1000/cm2；A 向垂直度偏差＜0.5°；透光率≥92%；翘曲度＜0.03；长晶时间小于32 小时；耗电＜1100度/炉。经济指标：项目执行期内累计实现销售收入8100万元，建成年产10吨级氮化铝粉生产线、年产1万片4英寸和6英寸碳化硅抛光片生产线、年产5000片4英寸外延片及6英寸外延片生产线、年产50万片蓝宝石晶片生产线各一条；项目达产后预期产值1.875亿元。 青海省科学技术厅 青海圣诺光电科技有限公司、中国科学院上海硅酸盐研究所、青海晶煜晶体科技有限公司、青海矽珂电子科技有限公司 李军 2017.01 - 2020.12 20800 12765 1500 600 200 200 500 2017-GX-A2 基于多晶硅生产的循环产业链接技术 研究内容： 1、超纯硅烷/氯硅烷制备技术研究；重点开展氯硅烷歧化法制备硅烷技术和氯硅烷深度提纯技术的研究，同时开展氯硅烷中痕量及杂质检测技术的研究；2、低成本电子级多晶硅生产技术研究；包括电子级多晶硅低能耗、规模化生产技术、电子级多晶硅高效生产技术研究等；3、流化床颗粒多晶硅制备技术开发及应用研究以及颗粒多晶硅国产化、规模化生产技术研究；4、低成本光纤预制棒、光纤及超低损耗光纤生产技术研究；主要开展光纤级四氯化硅供应及蒸发系统研究、光纤级四氯化硅包层沉积应用技术研究、光纤级四氯化硅生产的光纤预制棒拉丝技术研究等，同时解决沉积烧结掺氟工艺关键技术问题和含氟尾气处理技术问题等。 预期成果： 1、申请专利20件，授权专利8件；2、省级科技成果鉴定1项；3、制定技术标准1件；4、培养各类技术人才10名。 技术指标： 1、电子级硅烷气：B＜0.2ppba，P＜0.2ppba，金属（Fe、Cr、Ni、Cu及Zn）＜1ppba，符合GB/T 15909-2009 要求。电子级三氯氢硅：B≤0.1ppba，P≤0.3ppba， Fe≤2ppba，Cr≤1ppba，Ni