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2018-05-02 发布于贵州
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IRFP250MPBF;中文规格书,Datasheet资料12

PD - 96292 IRFP250MPbF ® HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating D 175°C Operating Temperature VDSS = 200V Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.075Ω Ease of Paralleling G Simple Drive Requirements I = 30A D Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar