MW7IC2040GNR1;MW7IC2040NBR1;MW7IC2040NR1;MW7IC2240GNR1;MW7IC2240NBR1;中文规格书,Datasheet资料12.pdfVIP

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2018-05-02 发布于贵州
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MW7IC2040GNR1;MW7IC2040NBR1;MW7IC2040NR1;MW7IC2240GNR1;MW7IC2240NBR1;中文规格书,Datasheet资料12.pdf

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Freescale Semiconductor Document Number: MW7IC2040N Technical Data Rev. 1, 11/2009 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers MW7IC2040NR1 MW7IC2040GNR1 The MW7IC2040N wideband integrated circuit is designed with on-chip matching that makes it usable from 1805 to 1990 MHz. This multi-stage MW7IC2040NBR1 structure is rated for 24 to 32 Volt operation and covers all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ1 = 130 mA, IDQ2 = 330 mA, Pout = 4 Watts Avg., f = 1932.5, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability 1930-1990 MHz, 1805-1880 MHz, on CCDF. 4 W AVG., 28 V Power Gain ó 32 dB SINGLE W-CDMA, GSM EDGE, GSM Power Added Efficiency ó 17.5% RF LDMOS WIDEBAND ACPR @ 5 MHz Offset ó - 50 dBc in 3.84 MHz Bandwidth INTEGRATED POWER AMPLIFIERS • Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 32 Vdc, 1960 MHz, 50 Watts CW Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout) • Stable into a 3:1 VSWR. All Spurs Below -60 dBc @ 100 mW to 40 Watts CW Pout.