图形内正电荷积累效应对多晶硅刻蚀图形影响的研究--毕业设计汇.docVIP

深 圳 大 学 本 科 毕 业 论 文（设计） 题目: 图形内正电荷积累效应对多晶硅 刻蚀图形影响的研究 姓名: 专业: 微电子学 学院: 电子科学与技术 学号: 指导教师: 职称： 讲师 年 5 月 10 日 深圳大学本科毕业论文（设计）诚信声明 本人郑重声明：所呈交的毕业论文（设计），题目《图形内正电荷积累效应对多晶硅刻蚀图形影响的研究 毕业论文（设计）作者签名： 日期： 年 月 日 目 录 摘要 1 1.1 1 1.2集成电路工艺及器件模拟的背景 1 1.3本文的研究意义 2 2． Si刻蚀的物理、化学基础 2 2.1考虑的表面粒子： 2 2.2在表面的反应种类的分类： 2 2.3刻蚀涉及的反应过程 3 2.4仿真模型 5 2.5表面反应仿真方法： 9 2.6仿真条件： 9 2.7相关物理常数等： 9 2.8仿真步骤： 10 3软件模拟刻蚀工艺设计 10 3.1顺序1 活性离子垂直入射 10 3.1.1顺序1小结 11 3.2顺序2 考虑入射离子角度以及能量 12 3.2.1发射角的解决办法 12 3.2.2软件模拟刻蚀工艺设计 13 3.2.3顺序2小结 14 4. 顺序3 考虑正电荷积累效应 14 4.1没有正电荷积累（对比） 14 4.2考虑正电荷积累效应 15 4.3顺序3小结 18 5.结论 18 6．软件介绍及程序 19 6.1MATLAB简介 19 6.2GUI界面简介 19 参考文献 20 致谢 21 Abstract 22 Key words 22 附录 23 1．主程序 23 2.入射角度仿真程序 30 3.程序GUI界面显示 31  图形内正电荷积累效应对多晶硅刻蚀图形的研究微电子学 【摘要】 集成电路工艺和器件的计算机模拟是最先进的集成电路开发和生产的必须的技术，作为提高生产效率的有效技术，模拟和仿真技术的开发变得越来越重要。现在，器件越来越微细化，伴随着特征尺寸越来越接近物理极限，出现了过去的简单模型或理论无法解释的新现象，理解这些现象并且把它反应到工艺生产中去，以提高生产性，集成电路工艺和器件的计算机模拟就变得是不可欠缺的了。集成电路的刻蚀工艺方法很多，真实过程也极为复杂，课题仅仅模拟等离子体干法刻蚀，从一点出发由点及面的去了解在刻蚀过程中不考虑离子入射角度到考虑，以及刻蚀反应对多晶硅刻蚀的影响，最后与考虑了正电荷积累效应后刻蚀图形的变化进行对比，得出正电荷积累效应对多晶硅刻蚀图形的影响。正电荷积累MATLAB 1.1引言 在集成电路等离子体刻蚀工艺中，为了高精度控制刻蚀工艺 ，对等离子体在衬底表面的物理和化学反应的理解是不可欠缺的。刻蚀反应过程和结果主要受（1）入射到表面的ion和中性radical的化学组成，（2）入射到表面的ion和radical的通量和能量，（3）衬底表面温度，（4）反应生成物在衬底表面的再吸附等因素的影响。本仿真的目的就是研究正电荷积累效应对多晶硅刻蚀图形的影响正电荷积累以及反应的精密性以及高成本让计算机模拟变得发展迅速课题将对刻蚀工艺进行计算机仿真模拟1】。 及器件的背景 工艺器件仿真是集成电路设计节省设计，提高设计关键技术。器件的细微化特征尺寸越来越接近集成电路的仿真在行业中的重要性日渐高涨，同时的难度也日渐提升。 研究意义 目前等离子刻蚀的研究中，集中在入射离子的种类、角度分布以及动量分布等方面，而对正电荷积累产生的影响的研究报道很少，在本文中，通过建立模型代入实际工艺中的参数，对其进行仿真模拟，正电荷积累效应对多晶硅刻蚀图形影响进行深入 本文具体内容安排： 在第一部分对Si的物理化学基础进行阐述其中包括反应阶段涉及到的反应方程，以及在工艺中的各种参数，为仿真做好准备。 顺序开始仿真，不考虑入射离子角度分布条件下进行模拟； 及顺序二，加入了入射离子的角度及动量分布的条件，将仿真与顺序一对比； ，考虑到正电荷的积累效应，并且通过不同浓度的积累来体现对刻蚀的影响，也与顺序一、二进行对比，得出具体的结论。2． Si刻蚀的物理化学2.1考虑的表面粒子： 等离子体区域的离子（ion）和反应活性种（radical、游离基、自由基、激发原子团、基团）分别以不同的能量和入射角度到达被刻蚀衬