模拟电子期中复习.docVIP

一、二极管 1．二极管有一个PN，其特性是:单向导电性。 即给P（空穴）区加正电位(Ω档黑笔)，N（电子）区加负电位(Ω档红笔)时，二极管就导通.相反则为截止。导通-截止，可作电子开关。 2．硅二极管导通时的正向压降为0.7V,所以回路中需要有限流元件(电阻)。否则,当正向压降太大,引起正向电流太大, 会烧毁PN结, 二极管损坏（使用时要求ID≤IFM，防止损坏）。 反向截止时, 反向压降可以很高,但当反向压降≥UFM时, 反向电流变很大（称反向击穿）,如果回路中没有限流元件(电阻)，则会烧毁PN结, 二极管击穿损坏（使用时要求UD≤UFM，防止损坏）。 3．稳压二极管工作于反向击穿状态。从稳压二极管特性曲线可以看到，稳压管正向偏压时，其特性和普通二极管相同；反向偏压时，开始一段和二极管一样，当反向电压达到一定数值以后，反向电流突然变大，而且电流在一定范围内增长时，管两端电压只有少许微小，具有稳压性能。这种“反向击穿”是可逆的，而普通二极管则不同。因此，只要外电路限流电阻保障电流在限定范围内，就不致引起热击穿而损坏稳压管。 由于二极管的电压和电流不成正比，所以它是一种非线性元件。 二、三极管 1．半导体晶体三极管是由两个背靠背的PN结构成的。在工作过程中，两种载流子（电子和空穴）都参与导电，故又称为双极型晶体管，简称晶体管或三极管。 2．晶体三极管有PNP和NPN。发射极E集电极C是同属性半导体，B是另一种属性半导体。并且发射区掺杂浓度远远高于集电区掺杂浓度;基区很薄并且掺杂浓度低;而集电结的面积比发射结要大得多,所以三极管的发射极和集电极不能对调使用。 3．三极管特性：是电流放大IC/IB=β,是电流控制元件(器件)。也是一种非线性元件。 在三极管的输出特性曲线中，分为截止区、饱和区和放大区。 截止区：IB=IC=0，VBE≤死区电压。又关闭。 饱和区：UCE=VCES≤1V。短路。 放大区：IC0，VCE1V。放大。 三、放大器建立 1．放大器静态工作点建立必须满足: 发射结正向偏置(0.7V),集电结反向偏置(≥1V)。即建立放大器静态工作点Q。而放大器静态工作点(Q)一般设置在负载线中央。 因为： 1）当静态工作点(Q)设置的太高, UCEQ太小ICQ太大，容易会产生饱和失真, iC波形的正半周出现平顶。减小饱和失真的方法是使Rb增大，静态工作点Q向下移。 2）当静态工作点(Q)设置的太低, 容易会产生截止失真, iC波形的负半周出现平顶。减小截止失真的方法是使Rb减小，静态工作点Q向上移。 2．放大器交流组态:根据放大器输入、输出回路的公共端的不同,可以组成共发射极、共基极、共集电极等三种组态电路。 共集电极 共发射极： 共集电极 共基极： 输入电阻RI RI=RB`//rBE 中等,约1K RI=RB`//[rBE+（1+β）RL`] 很大 很小 输出电阻RO RO=RC//(RE+rc)≈RC 大 RO=RE//[（rBE+RS）/（1+β）] 很小 大 电压增益AV AV=-βRL`/[rBE+（1+β）RE] 大 AV小 约=1 大 电流增益AI 大 大 小 约=1 功率增益AP 大 中 中 3．放大器的级联。 当放大器增益不够时,可以组成多级放大器。 1）多级放大器中的总输入电阻为第一级放大器的输入电阻。RI=RI1 2）多级放大器中的总输出电阻为最后级放大器的输出电阻。RO=RON 3）多级放大器中的电压增益为：各级电压增益之乘积。分贝表示时为之和。 如：两级放大器电压增益：第一级（10倍）20dB、第二级（32倍）30dB，则放大器的总增益为_（320）50 dB。 四、放大器分析 分析三极管放大电路时常用的方法有图解法和微变等效电路分析法。 1．图解法分析法： 在输出曲线中确定负载线 根据VCE=EC-ICRC 令IC=0 VCE=EC 确定M点（EC、0） 同理 令VCE =0 IC=EC/RC 确定N点（0、EC/RC） 连接MN点的直线即为直流负载线 静态工作点Q IBQ=（EC-VBE）/RB 在负载线与IBQ的交点即Q点。 Q点在Y轴投影即ICQ，在X轴投影为VCEQ。 2．微变等效电路分析法： 1）直流分析 画直流等效电路：耦合、旁路电容C开路（去掉），EC、R、L、三极管等保留。 确定工作点： ①固定偏置电路放大器 见P66 ②分压式偏置电路放大器 见P67 IBQ=（EC-UBEQ）