模拟集成电路设计概论2.pptVIP

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模拟集成电路设计概论2

Common Source Amplifier Analog amplifier : BW GBW * 放大器的基本概念 four types of amplifiers: Single-transistor stages 共源放大器 电阻负载 大信号分析:考虑Vin从小到大变化 当 当 M1 饱和 当 M1 在线性区 共源放大器 饱和区小信号增益:对饱和区方程求导 考虑沟道长度调制效应,则 gm随Vin线性上升,因此增益是非线性的 共源放大器 小信号分析 输出阻抗:输入为零时,在输出加电压激励,得到电流 很容易得到增益: 共源放大器 二极管负载 采用NMOS负载,存在体效应 共源放大器 二极管负载:NMOS负载 采用NMOS负载,存在体效应 M1 Vin Vout M2 利用小信号分析,对M2: Av决定于M1和M2的W/L之比,是恒定的。电路的线性度高。 共源放大器 二极管负载: NMOS负载 共源放大器 二极管负载:PMOS负载 采用PMOS负载,不存在体效应 M1 Vin Vout M2 忽略沟道长度调制: 例: M1的W/L太大,寄身电容 增加,影响电路速度。 共源放大器 性能改进 M1 Vin Vout M2 Is 在M2边上并联一个恒流源,M2 的电 流将下降,跨导下降,增益提高。 取: 在相同增益条件下,降低了MOS管的W/L比。 I2 减小,Vgs2减小,Vout的摆幅提高。 共源放大器 理想电流源负载 High gain ? ? Low VGS-VT and large L !!! 共源放大器 Gain, Bandwidth and Gain-bandwidth 共源放大器 Gain Av , BW and GBW 共源放大器 Gain, Bandwidth and Gain-bandwidth 共源放大器 Miller effect 共源放大器 Gain, Bandwidth and Gain-bandwidth 共源放大器 Zero 共源放大器 Miller capacitance feedback effects 共源放大器 Amplifier with local R- (series) feedback 共源放大器 Amplifier with local R- (series) feedback 提高线性度的代价是,增益下降,摆幅下降。 共源共栅放大器 Cascode versus single-transistor 共源共栅放大器 例:提高增益的方法 提高共源级输入器件的L→4L I不变,Veff增加一倍,摆幅下降 增益上升二倍。 共源共栅结构 增益增加 倍。 Veff增加一倍,摆幅下降。 共源共栅放大器 Cascode versus single-transistor 共源共栅放大器 Cascode versus single-transistor 共源共栅放大器 Telescopic Cascode 共源共栅放大器 Folded Cascode Common Source Amplifier Class A versus class AB amplifier Common Source Amplifier CMOS inverter-amplifier Common Source Amplifier Transfer characteristic Common Source Amplifier Analog amplifier : DC Common Source Amplifier Analog amplifier : AC model Common Source Amplifier Analog amplifier : AC gain Av 模拟集成电路的特点和应用 MOST IDS versus VGS and VDS MOS晶体管的电流方程 截止区 线性区 深线性区 MOS晶体管的电流方程 饱和区 过驱动电压 工艺跨导参数 跨导参数 MOS晶体管的I-V特性 饱和区?电流源 饱和区时,由于电流近似恒定,MOS构成电流源 MOS晶体管的工作区 VDS与工作区 沟道长度调制 假定 定义VE,VE是工艺参数 ID和VDS有关,不是一个恒定电流源 饱和区电流的修正 体效应 当衬底Vb相对源极Vs更负时,Qd增加,Vth增加。 N阱工艺中NMOS的衬底恒接GND,但源极可能不接GND,造成体效应。 MOST layout : Cox and CD 亚阈值导电性 当Vgs下降到Vth或低于Vth时,Id

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