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河北工业大学城市学院本科毕业设计(论文)任务书 毕业设计(论文)题目:抛光液成分对阻挡层的平坦化效果的影响研究 适用专业: 电子科学与技术 学生信息: 学号:087649 姓名:金红巾本课题 Bian J, VanHanehem M, Li H.多种IC设计中Cu CMP阻挡层浆料选择和去除率的控制[J]. 高仰月,译.电子工业专用设备,2006,(141):14-18. 4 王娟,刘玉岭,张建新,舒行军.钽抛光及抛光机理的探究[J].半导体技术,2006,31(5): 361-366. 5 陈剑辉,刘保亭,赵冬月,杨林,李曼,刘卓佳,赵庆勋. 硅基集成电路中Cu互连阻挡层的研究[J].材料导报,2010,24(6):58-72. 6 陈海波,周继承,李幼. 集成电路Cu互连扩散阻挡层的研究进展[J].材料导报,2006,20(12):8-15. 7 武亚红,刘玉岭,马振国,王立发,陈景. ULSI铜布线阻挡层Ta CMP及抛光液的研究[J]. 微纳电子技术,2007,(12):1078-1081. 8 胡伟,魏听,谢小柱,向北平. CMP抛光半导体晶片中抛光液的研究[J]. 金刚石与磨料磨具工程,2006(6):78-80. 9 Kim Nam-Hoon, Limb Jong-Heun, Sang-Yong Kim, Chang Eui-Goo. Effects of phosphoric acid stabilizer on copper and tantalum nitride CMP[J].Materials Letters,2003,57:4601-4604. 10 Krishnan M,Nalaskowski J W,CookLee M. Chemical Mechanical Planarization: Slurry Chemistry, Materials, and Mechanisms[J].Chemical Reviews,2010,110(1):178-203 11 Chiu Shao-Yu,Wang Ying-Lang, Liu Chuan-Pu, Chang Shih-Chieh, Hwang Gwo-Jen, Feng Ming-Shiann,Chen Chia-Fu. High-selectivity damascene chemical mechanical polishing[J]. Thin Solid Films, 2006, 498:60-63. 12 Matijevic E, Babu S V. Colloid aspects of chemical-mechanical planarization[J]. Journal of Colloid and Interface Science,2008,320:219-237. 13 Vijayakumara A, Dua T, Sundarama K B, Desaia V. Polishing mechanism of tantalum films by Si02 particles[J]. Microelectronic Engineering,2003,70:93-101. 14 Chen Y H,Tsai T H, Yen S C. Acetic acid and phosphoric acid adding to improve tantalum chemical mechanical polishing in hydrogen peroxide-based slurry[J]. Microelectronic Engineering,2010,87:174-179. 15 Sulyma C M, Roy D. Voltammetric current oscillations due to general and pitting corrosion of tantalum: Implications for electrochemical-mechanical planarization[J]. Corrosion Science,2010,52: 3086-3098. 16 Sato M, Kameyama T,Nonami T. Copper polishing with a polishing pad incorporating abrasive grains and a chelating resin[J]. Precision Engineering,2009,33: 167-1

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