激光器件第12章半导体激光器的输出特性.ppt

　　式中n为反映电流特点的一个常数，对电流主要是复合电流的半导体激光器，取n=2。正向偏压Vb为串联电阻rs上的压降和PN结上的压降之和，可表示为　　　　　　　　　Vb=V+Irs　　　 (12-3) 　　采用边发射的LD具有非圆对称的波导结构，而且在垂直于结平面方向(称横向)和平行于结平面方向(称侧向)有不同的波导结构和光场限制情况，横向是折射率波导，侧向可以是折射率波导，也可以是增益波导。因而LD的空间模式有横模和侧模(垂直横模、水平横模)之分，如图12.2所示。 　　可见其与θ0一致。说明在一定的有源层厚度范围内，θ⊥随d的增加而减小，横向光场具有较好的高斯光束特性，可以用衍射理论解释。图12.3所示曲线的虚线部分对应可能出现高阶模时的有源层厚度。 12.2.3 半导体激光器的像散　　当用光学系统对半导体激光器解理面近场成像时，就会发现由于像散的存在，会在焦线上出现两个像点。半导体激光器在横向都是利用有源层两边折射率差形成的光波导效应对有源区光子进行限制的，而在侧向有增益波导与折射率波导两种光限制类型。折射率波导型输出波前在垂直于结平面方向的高斯光束的束腰在解理面上，且在束腰处为平面波前，如图12.5(a)所示。 　　2. 纵模谱与电流密度的关系　　当半导体激光器具有标准腔长250 μm和典型的γ=10-4时，不同工作电流Iop情况下的纵模谱如图12.10所示。　　3. 器件结构对模谱的影响　　侧向折射率波导激光器比增益波导结构激光器具有更好的纵模特性。图12.11表示的是波长为780 nm的两种侧向波导结构的纵模谱， 　　4. 温度对模谱的影响　　 由于有源层材料的禁带宽度随温度增加而变窄，使激射波长发生红移，其红移量约为0.2~0.3 nm/℃，与器件结构和有源区材料有关。借此特性，可以用适当的温度变化来微调激光的峰值波长，以满足对波长要求严格的一些应用，也可利用温度来稳定激光器的工作波长。图12.12表示温度对峰值波长的影响。 12.3.3 纵模与横模之间的关系　　如前所述，纵模和横模的形成机理不同，但它们之间有着内在的联系和相互的影响，稳定的单纵模振荡必须有稳定的基横模工作。 12.3.4 LD的光谱线宽　　LD时间相干性通常用它的光谱线宽来定量地表示，定义为光谱曲线半峰值处的全宽(FWHM)。 12.4.1 速率方程　　为了简化分析，对半导体激光器有源区作一些简化假设，如忽略载流子的侧向扩散，载流子、光子、粒子数反转在腔内均匀分布，自发辐射因子γ=1，光场限制因子Γ=1等。给出这些假设是为了更容易理解速率方程的物理意义，由多模速率方程组式(12-15)、式(12-16)得单模速率方程组为 12.4.2 接通延迟和弛豫振荡　　当半导体激光器加上电脉冲后，产生的光脉冲相对于电脉冲会有延迟和瞬态振荡。为了解释这些现象，必须考虑有源区内载流子浓度N(t)和光子密度S(t)随时间的瞬态变化。可以用速率方程以数值法计算激光器加上台阶电脉冲后的响应曲线，得到N(t)、S(t)在瞬态过程中的变化，计算结果如图12.14所示。 12.4.3 调制特性　　至今，半导体激光器几乎已经是光纤通信系统中唯一的光源。其主要优点之一是通过改变工作电流就可以进行信号的直接调制，也使激光器与调制用电子电路有可能实现单片集成。半导体激光器的调制特性与器件结构有密切的关系，调制带宽受制于器件弛豫振荡和电学寄生参数。　　半导体激光器的调制方式有强度调制(IM)、频率调制(FM)、相位调制(PM)之分。 12.4.4 噪声特性 　　1. 强度调制噪声　　强度调制噪声产生于自发发射涨落。分析表明，总的强度调制噪声功率反比于正常的偏置水平，即工作偏置电流越高，强度调制噪声功率越低，噪声谱则更宽。除量子噪声外，载流子浓度的涨落也能产生噪声。载流子涨落产生的噪声比内在的量子噪声大，所以通常测量出来的是前者强度噪声的功率谱密度，该功率谱密度分布有一个谐振峰值，如图12.15 所示。 　　2. 频率调制噪声　　频率调制噪声的成分及产生原因从图12.16表示的频率调制噪声功率密度谱就可以看出。 　　3. 其他噪声源　　对于半导体激光器，即使静态是单模工作，也还存在其他噪声源，它们是模分配噪声(Mode-Partition Noise)、反射光波噪声(Reflected Lightwave Noise)及跳模噪声(Mode Hopping Noise)。　　1) 模分配噪声　　2) 反射光波噪声　　 3) 跳模噪声 图12.11 折射率波导同增益波导纵模谱的比较 图12.12 温度和功率引起波长红移 　　LD线宽Δυ与输