光电子技术基础第5章光电探测技术.ppt

　　　5.1　光电探测器的物理效应　　光电探测器的物理效应通常分为两大类：光子效应和光热效应。在每一大类中又可分为若干细项，如表5-1所示。 5.1.1　光子效应和光热效应　　在具体说明各种物理效应之前，首先说明光子效应和光热效应的物理实质有什么不同。　　所谓光子效应，是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小，直接影响内部电子状态改变的大小。因为，光子能量是hν(h是普朗克常数, ν是光波频率)，所以，光子效应就对光波频率表现出选择性，在光子直接与电子相互作用的情况下，其响应速度一般比较快。 5.1.2　光电发射效应　　在光照下，物体向表面以外的空间发射电子(即光电子)的现象，称为光电发射效应。能产生光电发射效应的物体称为光电发射体，在光电管中光电发射体又称为光阴极。　　著名的爱因斯坦方程描述了该效应的物理原理和产生条件。爱因斯坦方程是 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (5.1.1) 　　式(5.1.1)的物理意义是：如果发射体内的电子所吸收的光子的能量hν大于发射体的功函数Ej的值，那么电子就能以相应的速度从发射体表面逸出。光电发射效应发生的条件为 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (5.1.2)用波长λ表示时有 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (5.1.3) 式中, 大于和小于符号表示电子逸出表面的速度大于0；等号则表示电子以零速度逸出，即静止在发射体表面上。这里νc和λc分别为产生光电发射的入射光波的截止频率和截止波长。我们注意到则有 或  (5.1.4)式中，λc的单位是 nm; Ej的单位是eV。可见， Ej 小的发射体才能对波长较长的光辐射产生光电发射效应。 5.1.3　光电导效应　　金属之所以导电，是由于金属原子形成晶体时产生了大量的自由电子。自由电子浓度n是个常量，不受外界因素影响。半导体和金属的导电机制完全不同，在温度为0K时，导电载流子浓度为0。在温度为0K以上时，由于热激发而不断产生热生载流子(电子和空穴)，在扩散过程中它们又受到复合作用而消失。在热平衡下，单位时间内热生载流子的产生数目正好等于因复合而消失的热生载流子的数目。 　　因此，在导带和价带中维持着一个热平衡的电子浓度n和空穴浓度p，它们的平均寿命分别用τn和τp表示。无论何种半导体材料，以下式子恒成立，即 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(5.1.5)式中，ni是相应温度下本征半导体中的本征热生载流子浓度。这说明，N型或P型半导体中的电子和空穴浓度，一种浓度增大，另一种浓度减少，但绝对不会减少到0。 　　在外电场E作用下，载流子产生漂移运动，漂移速度v和E之比定义为载流子迁移率μ，即有 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (5.1.6)式中，U是外电压，l是电压方向的半导体长度。载流子的漂移运动效果用半导体的电导率σ来描述，定义为 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (5.1.7) 式中，e是电子电荷量。如果半导体的截面积是A，则其电导(亦称为热平衡暗电导)G为  (5.1.8)所以半导体的电阻Rd(亦称暗电阻)为  (5.1.9) 　　光电导的原理图如图5-1所示，光照射在外加电压的半导体上，如果光波长λ满足如下条件，即 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (5.1.10) 图5-1　光电导的原理图 　　对于本征情况，如果光辐射每秒产生的电子-空穴对数为N，则 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (5.1.11) 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(5.1.12) 式中，Al为半导体总体积；τn和τp为电子和空穴的平衡寿命。于是由式(5.1.8)有式中，eN表示光辐射每秒激发的电荷量。另一方面，由于ΔG的增量将使外回路电流产生增量Δi，即