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用化学镀改善多孔硅的金半接触质量-电子器件.pdfVIP

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  • 2018-05-10 发布于天津
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用化学镀改善多孔硅的金半接触质量-电子器件.pdf

    第卷第期电子器件摇年月鄄鄄鄄鄄赘鄄摇摇摇摇用化学镀改善多孔硅的金半接触质量余摇峰廖家科渠叶君郭安然李摇伟电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都电子科技大学光电信息学院成都摘摇要多孔硅是一种具有优良光吸收特性的表面微结构材料在光电探测器和太阳能光伏电池领域具有良好的应用前景为了改善金属多孔硅电接触质量通过电化学腐蚀制备多孔硅对比研究了化学镀与物理气相沉积热蒸发磁控溅射工艺制备出的金属电极界面结构测试了相应特性并讨论了快速退火对金半接触质量的影响研究结果表明用化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极经快速退

    第37 卷 第4 期 电 子 器 件 Vol.37摇 No.4 2014年8 月 ChineseJournal of Electron Devices Aug.2014 Improved Metal鄄Semiconductor Contacts on Porous Silicon by Electroless Nickel Pla

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