低压功率vdmosfet参数优化及栅电荷研究-微电子学与固体电子学专业论文.pdf.docxVIP

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目录摘要........................................................IABSTRACT.....................................................IV2.4.1源电阻..............................................................................................142.4.2沟道电阻..........................................................................................142.4.3积累层电阻......................................................................................152.4.4JFET电阻152.4.5漂移区电阻......................................................................................152.4.6衬底电阻..........................................................................................162.4.7接触电阻..........................................................................................162.5导通电阻与击穿电压的极限关系.................................172.6栅电荷Qg182.6.1MOSFET开关等效电路192.6.2栅电荷曲线分析...............................................................................202.7其它参数考虑..................................................222.7.1dV/dt能力222.7.2平均栅驱动功耗...............................................................................232.7.3封装寄生参量..................................................................................23第三章低压功率VDMOSFET优化设计243.1基本性能参数的仿真条件及仿真电路.............................243.1.1阈值电压Vth243.1.2反向恢复电荷Qrr25击穿电压VBR26导通电阻Ron26栅电荷Qg273.2确定可调器件结构参数的范围...................................273.3确定各器件特性参数随结构参数变化趋势.........................28调节PHV浓度29调节stddev30调节Poly宽度323.3.4调节P+浓度333.3.5调节Epi浓度343.3.6得到目标参数组...............................................................................373.4最优参数组波形图及优化前后的器件特性参数的比较..............373.4.1最优参数组器件基本特性波形图....................................................383.4.2优化前后器件特性参数的比较........................................................39第四章低压功率MOSFET栅电荷研究404.1目前国际上降低栅电荷的主要方法...............................40平面ACCUFET(Accumulationchannelfieldeffecttransistor)40超低QGD功率MOSFET414.1.3提高了栅电荷性能的功率MOS器件414.1.4在有源元胞阵列外带保护电极并减小栅漏电容的晶体管结构........424.1.5超低导通电阻和低栅电荷的垂直MOSFET424.1.6低栅电荷TrenchMOSFET424.1

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