点缺陷对钛酸钡基铁电体物理性能的影响及相关铁电畴结构的表征-电气工程专业论文.pdf.docxVIP

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点缺陷对钛酸钡基铁电体物理性能的影响及相关铁电畴结构的表征-电气工程专业论文.pdf

The Role of Point Defect on Physical Properties of Barium-titanate Based Ferroelectric Materials and Their Domainstructure CharacterizationA dissertation submitted to Xi’an Jiaotong Universityin partial fulfillment of the requirement for the degree ofDoctor of Engineering ScienceBy Jinghui Gao(Electrical Engineering) Supervisor: Prof. Xiaobing Ren June 2012摘要论文题目:点缺陷对钛酸钡基铁电体物理性能影响的研究及相关铁电畴结构的表征 学科专业:电气工程申 请 人 :高景晖 指导教师:任晓兵教授摘要铁电体材料是一种电介质功能材料,因其具有介电、压电、铁电、热释电等多种 物理性能,被广泛的应用于工业生产及生活的各个领域。铁电体的这些物理性能会受 到材料中点缺陷(如掺杂、空位等)等因素的影响。例如,在铁电体材料中掺杂受主 离子会引起材料的时效效应,即物理性能随时间演化;等价离子掺杂将改变铁电体材 料的相变温度。另一方面,铁电体材料表现为自发极化局域一致的铁电畴结构,铁电 体的性能可以通过铁电畴结构表征。本文从典型的铁电体钛酸钡体系出发,针对其铁 电时效现象以及准同型相界的压电优化行为,研究了点缺陷对铁电体物理性质的影响。 进一步通过铁电畴结构的表征,研究点缺陷影响物理性质的机理。首先,本文研究了受主掺杂钛酸钡材料中由时效导致的两步铁电-顺电相变行为。 正常的铁电-顺电相变是发生在居里温度点的单步相变。然而,本文发现对 Mn3+离子(受 主)掺杂的 Ba(Zr0.01Ti0.98Mn0.01)O3 陶瓷进行居里温度(DSC 峰值温度)时效,并冷却 到铁电相后,其相变的 DSC 差热分析峰出现分裂,表明其铁电-顺电相变呈现出奇异的 两步相变的行为。进一步研究 DSC 峰温随着时效时间的变化,分裂的高温支 DSC 峰 的峰温随着时效时间呈现先升高后稳定的变化趋势,表明在高温相变的部分符合铁电 相稳定过程的变化规律。为了进一步研究两步相变的铁电畴结构演化,本文又对 DSC 峰温时效后 Mn3+离子掺杂的钛酸钡单晶进行了光学显微镜的原位升温实验,观察样品 的铁电-顺电相变过程。结果显示,在时效温度下,样品表现为铁电相和顺电相的两相 共存。时效后冷却到铁电相并且重新加热的过程中,先前时效中顺电相的部分在较低 的温度相变,对应于第一步相变(分裂 DSC 峰的低温支);先前时效中铁电相的部分 在较高的温度相变,对应于第二步相变(分裂 DSC 峰的高温支)。最后,通过讨论受 主掺杂铁电体的点缺陷对称性与晶体结构对称性的一致性趋势,本文对两步相变的微 观机理进行了解释。其次,本文研究了受主掺杂钛酸钡材料中时效诱发的相变温度循环下铁电畴记忆 的现象。铁电材料现出能级简并且符合晶体对称性的多个铁电畴状态,组成铁电畴结本研究得到 国家自然科学基金(编号, 国家重点基础研究发展规划(973 计划)(编号:2010CB631003) 国家建设高水平大学公派研究生项目(编号:2009628070)资助。I西安交通大学博士学位论文构。在受到外界扰动,例如外加电场或者相变温度循环后,通常铁电畴结构不能回复 到扰动前的状态。然而,本文通过对四方相下时效处理后的 K+离子(受主)掺杂 BaTiO3 单晶进行原位变温的光学显微观察,发现样品在经历了四方-正交-四方循环之后,铁电 畴恢复到先前的状态,即时效后的铁电畴结构在相变循环中表现出记忆效应。另外, 相应的宏观性能电滞回线也表现出“记忆”效应,即在历经四方-正交-四方循环后恢复到初态(双电滞回线)。进一步通过与未掺杂铁电体、去时效钛酸钡单晶样品的原位变温光学显微实验对比,分析了点缺陷和时效在铁电畴记忆效应中的作用。最后,本文从 点缺陷对称一致性理论出发讨论了铁电畴记忆效应的机理。另外,通过等价掺杂(A 位掺杂 Ca2+, B 位掺杂 Zr4+)构造准同型相界 MPB 可 以有效提高钛酸钡的压电性能,Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-x(Ba0.7Ca0.3)TiO3 (简称 BZT-BCT) 非 铅压电陶瓷体系在 MPB 的压电系数 d33 可高达 620pC/N。为了研究该非铅压电体系强压电性能的原因,本文从 BZT-BCT 材料的铁电畴结构出发,应用透射电子显微技术,对其性能-电畴结构关系进行研究。

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