电子陶瓷结构基础.ppt

本课程所涉及的内容 电子陶瓷结构基础 电子陶瓷材料性质及制备工艺 电子陶瓷材料应用 §1-1 原子间的结合力 §1-2 球的密堆积原理及配位数 §1-3 鲍林规则 §1-4 电子陶瓷的典型结构 §1-5 电子陶瓷的显微结构 §1-6 电子陶瓷的晶体结构缺陷 §1-7 电子陶瓷的固溶结构 玻璃相是指陶瓷材料中的非晶态物质。玻璃相分布在晶粒的周围成连续状或仅仅分布在三界处，也可能形成孤岛状。 玻璃相的成因：由于起始化合物、添加物或原材料中的杂质等在达到烧成温度以前即熔融经冷却形成的。通过改变添加物的种类和数量可以改变玻璃相的数量、性质和生成温度。 形成：坯体中的空气、水汽，粘合剂和易挥发物形成的气体，化合物分解的气体等在烧结过程(气孔排除，材料致密化的过程)中大部分沿陶瓷晶界扩散排除，然而总有少部分特别是裹在晶粒中的气体不能排除，它们以O2，H2，N2，CO2，H2O等形式停留在材料中而形成气相。气相对陶瓷材料的电学、热学、光学和机械强度都有影响。 影响：a、使抗电强度下降；b、使机械强度下降；c、气孔使光的透过率下降。 陶瓷中气泡承担的电场强度比陶瓷介质高。陶瓷介瓷一般抗电强度≥10 kv/cm，而气相为2-2.5 kv/cm。 原因：a、强电场下气体电离击穿 b、局部发热使材料热击穿 气相击穿?材料击穿 陶瓷材料的结合力为离子键或共价键，结合力本应很强。然而陶瓷材料为什么易断裂呢？答案是材料中存有大量的微裂纹。根据微裂纹理论： 气孔、夹杂物、晶界相等是光的散射中心。 理论上陶瓷材料中不存在气孔。由于各晶粒取向是随机的，各向同性，是一种透光材料。但气孔的存在则使陶瓷的透光率大大下降。 透明Al2O3材料中气孔率低（0.1%），含杂质少，因而可达到高的透光率。但是材料中存在一定量的气孔也不是绝对无益的，如各种气敏、湿敏材料中，为了增大表面积应使陶瓷表面具有尽可能多的开口气孔。 在多晶材料的形成过程中，晶粒是各自为核心长大的，到后期晶粒长大至相互接触，共同组成了晶粒间界。 晶界是指同类物质的晶粒间界（GB） 无序开放结构、高能量、晶界偏析、新相成核 相界是指不同类（异相）物质的晶粒间界（PB） 晶界的特点： A．晶界处存在大量缺陷 B．晶界处有空间电荷区 C．晶界上易出现杂质偏析 A. 晶界处存在大量缺陷 　 晶界模型认为晶界由一系列位错组成。若为相界，由于两晶粒组成相不同，结构常数相差太大，往往存在大量的缺陷， 总之，晶界处的缺陷多于晶粒内部，因而晶界处的杂质或氧的扩散系数比晶粒内部大得多。 陶瓷大部分为离子晶体，晶界缺陷必然使晶界带有某种电荷。比如正离子缺位带负电，负离子缺位必然带正电，另外，人们为了获得一定的性能，往往掺入异价杂质离子，这使晶界处缺陷浓度增加，晶界电荷也增加。 晶界电荷必然产生一电场，从而使得晶粒内靠近晶界的一定范围内出现与晶界电荷符号相反的空间电荷区。空间电荷区的宽度约为20～100埃。 C. 晶界上易出现杂质偏析 偏析的第一个原因是静电电位。由于晶界电荷形成的静电电场的作用，带电杂质质点必然向晶界运动，以便减少晶界电荷形成的电势。 MgO饱和的Al2O3中，晶界电荷为正，比起Al3+来，容易引起低价离子Mg2+的偏析，结果，静电电位下降。 在MgO和NaCl的情形，晶界电荷为负，比起母体离子来，容易引起高价离子的偏析 (比如MgO中的Al3+、Si4+、Zr4+；NaCl中的Ca2+)。 相界的特点： 两相物质之间成分、结构、键特性不同，晶格场有较大的区别，故相界结构一般都较同类晶界复杂，且厚些。两相物质间可能出现互扩散和超限固溶，晶相能高。 分类（P22）： a、异相共格模型：晶格构型相同或相似，晶格常数不同 b、互扩散模型：晶胞参数相近，晶格构型相同或相近 c、过渡层模型：适合于各类异相物质。 1. 晶体结构缺陷的分类 2. 点缺陷的表示法 3. 缺陷反应方程式 4. 用质量作用定律处理缺陷浓度 5. 缺陷化学在陶瓷材料中的应用举例 缺陷种类与有效电荷 原理——将每种缺陷当作化学物质来处理，缺陷生成看作是一种化学反应，可以用缺陷反应方程式描述。 缺陷反应方程式的规则： (1) 质量关系——原子数平衡，方程两边各种原子(或离子)的个数必须相等 (2) 位置关系——格点数成正确比例，对MaXb而言，每增加a个M格点，须增加b个X格点 (3) 电荷关系——电荷平衡，方程两边的总有效电荷必须相同(晶体的电中性) 2．固溶体的分类： 固溶体中杂质来源： 人为加入的添加剂 原料中不可避免的含有的杂质 固溶体可按溶解度或溶质原子在溶剂晶体中的位置