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2018-12-13 发布于天津
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45 5 Vol． 45 ，No． 5 第卷第期激光与红外 2015 4 LASEＲ＆ INFＲAＲED May ，2015 年月 :1001-5078 (2015)05-0505-04 · · 文章编号激光器技术 1. 3 μm InGaAsSb / GaAsSb 量子阱激光器有源区结构设计，，，，，，何斌太刘国军魏志鹏刘超安宁刘鹏程王旭 ( ， 130022) 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春 : ， InGaAsSb / GaAsSb 摘要为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器对压应变量子。、－阱激光器有源区进行了研究根据应变量子阱能带理论固体模型理论和克龙尼克潘纳模，。 Lastip 50 m 、型确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系基于软件建立了条宽为 μ 800 m ，，腔长为 μ 的半导体激光器仿真模型模拟器件的输出特性讨论了量子阱个数对器件光。 : In Ga As Sb / GaAs Sb 、 9 nm 、电特性的影响结果表明当量子阱组分为 0. 44 0. 56 0. 92 0. 08 0. 92 0. 08 阱宽为 2 ，， 48 mA ， 0. 76 W / A 。量子阱个数为时器件的性能达到最佳阈值电流为斜率效率为 : ;InGaAsSb / GaAsSb ; ; 关键词半导体激光器量子阱有源区中图分类号:TN365 文献标识码:A DOI :10 ． 3969 /j ． issn． 100 1-5078． 20 15 ． 04 ． 008 Structure design of acti