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39 5 激 光 技 术 Vol． 39 ，No． 5 第 卷 第 期 2015 9 September ， 年 月 LASEＲ TECHNOLOGY 2015 文章编号:1001-3806 (2015)05-0654-04 GaAs /AlGaAs 环形激光器的量子阱结构优化 * ， ， ， 郭 婧 谢 生 毛陆虹 郭维廉 ( ， 300072) 天津大学 电子信息工程学院 天津 : ， F-P ， 摘要 为了研究量子阱结构对半导体环形激光器阈值电流的影响 从 腔激光器的振荡条件出发 分析了半导体 ， 。 环形激光器的阈值电流密度与量子阱结构参量的函数关系 并推导出最佳量子阱数的表达式 利用器件仿真软件 ATLAS ， 、 ， 、 。 建立环形激光器的等效模型 仿真 分析了不同工作温度下 量子阱数 阱厚及势垒厚度对阈值电流的影响 结果 ， ， ; ， 表明 阈值电流随量子阱数和阱厚的增加先减小后增大 存在一组最佳值 在确定合适的量子阱数和阱厚后 相对较窄的 ; GaAs /AlGaAs ， M = 3 ，d = 势垒厚度有助于进一步降低阈值电流 采用 材料体系和器件结构 其最佳量子阱结构参量为 w 20nm 及db = 10nm 。 : ; ; ; 关键词 激光器 半导体环形激光器 多量子阱 阈值电流 中图分类号:TN248． 4 文献标志码:A doi :10. 7510 /jgjs. issn. 1001-3806. 2015. 05. 014 Optimization of quantum well structure for GaAs /AlGaAs ring lasers GUO Jing ，XIE Sheng ，MAO Luhong ，GUO Weilian (School of Electronic and Information Engineering ，Tianjin University ，Tianjin 300072 ，China) Abstract :In order to study effect of multiple quantum well (MQW)on thres