探讨欧姆接触电极的制作工艺毕业论文.doc

目 录 摘 要 2 Abstract 3 第一章　欧姆接触的原理介绍 4 1.1 金属-半导体接触的基本原理 4 1.1.1金属与半导体的功函数 4 1.1.2 金属与半导体接触 5 1.2　欧姆接触 8 1.2.1欧姆接触的评价标准 8 1.2.2欧姆接触的形成机制 9 1.2.3欧姆接触电极的制作要点 10 1.3　在n-GaAs和p-GaP上制作欧姆接触的意义和研究现状 11 1.3.1在n-GaAs和p-GaP上制作欧姆接触的意义 11 1.3.2 n型GaAs、p型GaP欧姆接触的研究现状 12 1.3.3本实验的目的和意义 12 参考文献 14 第二章 欧姆接触的方法—传输线模型(TLM)方法的介绍 15 2.1 传输线模型原理简介 15 2.2 测试样品的制作工艺 17 参考文献 20 第三章 用TLM测量n-GaAs和p-GaP的欧姆接触 21 3.1 n型GaAs的欧姆接触电极的制作和测量 21 3.1.1 n型GaAs的欧姆接触电极的制作 21 3.1.2 测试样品的制作 22 3.1.3 实验结果分析 23 3.2 p型GaP的欧姆接触电极的制作和测量 27 3.2.1 p型GaP的欧姆接触电极的制作 27 3.2.2 测试样品的制作 28 3.2.3实验结果分析 28 参考文献 35 第四章 结论和展望 36 4.1 论文内容和结论 36 4.1.1论文的主要内容 36 4.1.2论文结论 36 4.2 工作展望 36 致 谢 38 文献翻译 39 摘 要 金属-半导体接触（金半接触）是制作半导体器件中十分重要的问题，接触直接影响到器件的性能。从性质上可以将金属-半导体接触分为肖特基接触和欧姆接触。良好的欧姆接触不会降低器件的性能，当有电流过时，欧姆接触上的电压降应远小于器件本身的电压降。 目前，III-V族化合物半导体器件发展极为迅速，在数字处理、光电器件、功率器件等方面有广泛的应用。常用的III-V族化合物半导体如GaAs、GaP等欧姆接触在器件应用方面具有十分重要的意义优化器件性能，能够为n型6H-SiC、GaN等材料的欧姆接触电极的制作提供有价值的参考。本文尝试在n型GaAs和p型GaP上制备欧姆接触电极，探讨了欧姆接触电极的制作工艺和比接触电阻率（specific contact resistivity）的测试方法，利用TLM法测试了欧姆接触的比电阻率，测试结果表明得到了比较好的欧姆接触。 关键词：欧姆接触，比接触电阻率，n型GaAs，p型GaP，TLM AThe metal-semiconductor contact is quite an important problem during the manufacture of the semiconductor devices. The quality of the contact will immediately influence the performance of the devices. The metal-semiconductor contact can be devided into Schottky contact and ohmic contact, due to their different performance characterization. The ideal ohmic contact should not degrade the device to any significant extent, and the voltage drop across the contact should be small compared to the voltage drop across the active device regions when the current flows across the contact. At present, the III-V group compound semiconductor devices are rapidly developed, as they paly an important role in the digital processing, optoelectronic devices, power devices, etc. GaAs and GaP are the commonly used III-V group compound semiconductor materials, and the researches on the ohmic contacts of them are quite important for the