溶胶凝胶法制备ZNLT1XGTMGLTXGTO薄膜及其性能研究.pdf

摘要 摘 要 氧化锌是一种II．Ⅺ族宽禁带隙(3．30eV)氧化物半导体材料。具有较大的激 子束缚能(～60meV)，可以实现室温下的紫外受激辐射，是一种很有前途的紫外 光电子器件材料，极具开发和应用价值，特别是ZnO薄膜紫外激射的发现，使 它成为国内外在半导体材料研究中的新热点。传统上，ZnO薄膜被广泛应用于声 表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明电极、紫外探测器等领 域。近年来，ZnO作为宽禁带半导体光电材料的研究越来越受到人们的重视。ZnO 薄膜有许多优点，如生长温度低，介电常数低，机电耦合系数大，温度稳定性好， 光透过率高，受激辐射阂值低，化学性能稳定等。由于znO单晶生长困难、价 格昂贵、尺寸小(仅有1锄3大小的单晶)，难以满足各种应用的需要，因此对各 种ZnO薄膜制备技术的研究和开发成为ZnO材料及器件应用研究的一个重要方 向。目前，比较好的成膜技术有分子束外延(MBE)和脉冲激光沉积法(PLD)。但成 本太高，不能实现大面积成膜。 研究了升温速率、薄膜厚度、退火温度等工艺参数对薄膜的结晶质量和发光性能 的影响。取得了一些有意义的结果。主要内容如下： 1、采用溶胶一凝胶工艺使用不同的有机试剂在玻璃衬底上制备了ZnO薄膜，x 射线衍射仪(XRD)结果表明，ZnO薄膜均为纤锌矿结构。但是使用乙二醇甲醚 制备的ZnO薄膜呈现自由生长的特点；相反，使用聚乙烯纯所制备的ZnO薄膜 则具有C柱择优取向生长的特性。 2、室温下样品光致发光光谱的测量结果表明，所有的样品均有两个发射带，即近 带边紫外发射和可见发射带。随退火温度的升高，样品的紫外发射带增强，可见 光发射逐渐减弱，当退火温度升为600C时，紫外发射最尖锐，几乎观察不到可 见光发射。 nlrl 3、测量生长在玻璃基底上的氧化锌薄膜的吸收光谱，结果表明：样品在380 eV。ZnO薄膜透射光谱的测量 附近有一陡峭的吸收边，所对应的能量值为3．20 结果表明：样品在可见光波段的平均透过率为85％。 0．71合金薄膜。XRD衍射测试表明：在O．1x0．3范围内，合金薄膜仍然保持 溶胶-凝胶法制备Zn,HM蠡。薄膜及其性能研究 氧化锌六角型纤锌矿结构，(002)衍射峰位随x的增大向大角度方向移动，在X ／0．3的范围内，合金薄膜的结构则为氧化锌和氧化镁的混合结构；室温光致发光 谱表明：ZnMgO合金薄膜PL谱都是由较强的紫外发射带组成，且随着Mg含量 的增加紫外发射峰位发生蓝移，同时可见发射增强。 关键词：znl一,MgxO薄膜；溶胶-凝胶法：晶体结构；光致发光：吸收光谱：透射 光谱 II Abstract oxideis U—V1 Zinc wideband material． anew-styled gap(3．30eV)semiconductor Ithas exciton callbeexcitedtoemit comparativelylarge bindingenergy(60meV)and at ultraviolettheroom isa of kind by temperature．Therefore，ZnOverypromising materialfor the devicesand deserves makingultravioletoptoelectronicgreatly being