电沉积制备CUINSELT2GT和CU（IN，GA）SELT2GT薄膜及性能表征.pdf

摘 要 寻找可再生、廉价、清洁新能源己成为当前人类面临的迫切课题。其中， 太阳能是一种清洁、安全、环保可再生能源。由于CuInSe2(简称为CIS)是一 种直接带隙材料，光吸收系数高达105数量级，是目前已知的光吸收性最好的半 导体薄膜材料，光电转换效率高，使得CIS薄膜太阳电池成为当今光伏领域的 研究热点。太阳光的吸收要求材料的最佳带隙在1．45eV左右，不过CuInSe2的 带隙为1．04eV。为了提高材料的带隙宽度，通常在CulnSe2中掺入一定比例的 本文以氯化铜，三氯化铟，三氯化镓、亚硒酸和络合剂柠檬酸钠的水溶液 为电解液，在镀Mo薄膜的钠钙玻璃衬底上采用恒电位电沉积方法制备出太阳能 电池薄膜材料CIS昶CIGS薄膜。对制备的薄膜进行热处理以提高薄膜的化学计 der 以及VanPauw方法对制备的薄膜的各种性能进行表征。 首先采用磁控溅射方法制备了Mo薄膜衬底，制备的薄膜具有较小的电阻 率，良好的结合力，表面平滑，结构致密，符合太阳能电池的欧姆接触要求。 然后对CIS薄膜的电沉积制备及其影响因素进行了研究分析与讨论。结果 表明利用电沉积方法可以制各出黄铜矿结构的CIS薄膜，所制备的薄膜经过硒 化退火后结晶性能变好。所制备的CIS薄膜当Cu／Inl时，导电类型为型，当 Cu／Inl时，所制备的CIS薄膜的导电类型为P型。硒化退火后薄膜具有较小的 电阻率，而且具有较高的迁移率和载流子浓度。光学性能表明在室温下的光学 x104cml。 禁带宽度在1．04～1．14eV之间，光吸收系数达到4．3 最后对CIGS薄膜的电沉积制各及其影响因素进行分析与讨论。结果表明利 用电沉积方法成功地制备出了黄铜矿结构的CIGS多晶薄膜。随着柠檬酸钠浓度 的增大，CIGS薄膜的结晶程度变好。当热处理温度为550*(2时可以获得结晶性 为n型，薄膜具有较小的电阻率和较高的迁移率和载流子浓度。随着Cu／(In+Ga) 的减小，电阻率逐渐增大，n型导电性增强。制备的CIGS多晶薄膜在室温下的 光学禁带宽度为1．43—1．50eV左右，光吸收系数达到4．6×104cm～。 Abstract and Forthesakeofenvironmental searchfor conservation，the protectionenergy andclean sourcehas beenanessential for energy renewable，cheap problem solar akindofnew these is clear,safe．no humankind．Amongenergy energy、Ⅳim effectonenvironmentand filmsolarcells reproducible．At pollution，no present，thin arethemost intherealmofsolar cellsresearchand interestingproject development。