GALT2GTOLT3GT氮化法合成GAN粉体和薄膜的研究.pdfVIP

Ga：Os氮化法合成GaN粉体和薄膜的研究 摘要 GaN是一种优秀的宽带隙化合物半导体材料，具有宽的直接带隙，室 温下禁带宽度为3。39eV；GaN具有强的原子键、高的热导性等性质以及强 的热辐射、抗腐蚀能力，不仅是短波长电子材料也是高温半导体的换代材料。 GaN在短波长光电器件领域及紫外波段的探测器研究方面备受重视。另外， GaN还具有优良的热稳定性、化学稳定性和高热导率、高击穿电压、高电 子饱和速度等特点。因此，GaN材料在制备高温、高频、大功率器件以及 光存储、光探测等方面有着广泛的应用前景和巨大的市场潜力。 分子束外延(MBE)及高频等离子体化学汽相沉积法(Plasma cye6技术 等在不同衬底上生长高质量的薄膜。但上述方法设备昂贵，五艺方法复杂， 影响了GaN基半导体光电器件的大规模生产和应用，探索一种简易的合成 GaN材料的工艺方法已十分必要。本文采用氮化13a203的方法，在管式电炉 中成功地合成了GaN粉体和薄膜，探索了一种低成本制备GaN材料的新工 艺。 压下制备高温半导体GaN粉体以及在硅基片上沉积GaN薄膜，并研究了各 种工艺参数如反应温度、NH3的流量、si基片的温度、保温时间、硅基片的 表面清洁度、反应前后处理等因素对合成GaN粉体和沉积GaN薄膜的影响。 并用XRD、SEM和AFM对制得的样品进行了检测。 经过实验及测试分析，得到以下结论： 度的六方晶型GaN粉体。 (2)温度是影响合成GaN粉体最重要的因素，温度越高，合成速率越 快，但温度太高会容易产生烧结。 Sil“沉积大量的GaN薄膜。 (4)硅基片的温度、NH，流量对沉积薄膜影响很大，硅基片的温度越 高，流量越小越容易沉积，晶粒越大。 分子生成GaN。因此低温和高温的反应机理是不相同的。硅基片上成薄膜 的机理与合成GaN粉体的高温机理相同。 (6)实验得到的GaN半导体由于存在N空位和Si杂质为n型半导体， 且同样存在强电场下欧姆定律发生偏离的现象。 关键词：GaN粉体，GaN薄膜，Ga203，氮化法’ n SYNTHESIS0FGaNPOWDERANDFILM BYDIRECTLYNITRIDING Ga203 ABSTRACT GalliumnitrideiSanexcellentbroadbandsemiconductormaterial．Gabl gap hasaboarddirectband atomic thermal gap，s20ngbond，high conductivity， and thermalradiation。anticorrosionits is3．39eV．Itisnot ability energy gap ashortwaveelection alsoa materialof material，but only changegeneration high semiconductor．GaNisconsideredmuchinshortwave temperature very deviceandultravioletwavebonddetector photoelectric has