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摘要
LiNb03因具有优异的电光、压电、非线性光学等特性，已被广泛应用于声表面波
及集成光学器件中。制备集成光学器件常需将LiNb03制成各种形式的光波导结构，但
传统方法制备的光波导结构薄膜存在较多的缺点，因而异质LiNb03薄膜引起了人们的
关注。与体单晶相比，异质LiNb03薄膜具有明显的优势，如可以获得较大的波导膜与
衬底之间折射率差等。至今人们已经采用多种薄膜生长技术来制备异质LiNb03薄膜。
硅材料作为半导体微电子工业的基石，在硅衬底上生长L№03薄膜与目前半导体工艺
兼容，有利于光电集成且价格低廉，具有广阔的应用前景。因而，开展硅基LiNb03薄
膜的研究具有非常重要的意义。
本文在总结了L姗03薄膜制备研究现状的基础上，利用磁控溅射技术对硅基
LiNb03薄膜的制备及光致发光性质进行了研究，并进一步研究了Fe、Mn的掺杂对
SffSi02／LiNb03多层结构薄膜光致发光性质的影响。通过研究得出以下结果：
1．研究了在Si衬底上制备的Si02缓冲层在室温下的光致发光性能。结果发现：800℃
者来自于样品内部的自捕获激子，后者可能与氧相关的缺陷有关。
2．研究了实验参数对LiNb03薄膜质量及C轴取向的影响。结果发现，生长C轴取向
火温度为1000℃，退火时间为0．5小时。
LiNb03薄膜，提出了衬底一扩散层一非晶层一多晶层一C轴取向层的生长模型。进一步
分以Fe3+／Mn3+的形式存在于薄膜内。
的光激发下，发光峰位移至470nm附近，文中对其发光机理进行了初步的探讨，认
为LiNb03的光调制特性发挥了重要作用。
关键词：射频磁控溅射；Si02缓冲层；LiNb03多层结构薄膜；光致发光；
Abstract
and devicesduetoitsexcellent
LiNb01iSoftenusedasSAW integratedoptical
be
andnonlinear shall
electro．optical，piezoelectricoptical
structuresifitbecomesthe areseveral
devices．However,thereproblems
wave．guided optical
thetraditional
for films methods，SOfabricating
depositingwave．guidethrough
an withbulk
hetero．structureLiNb01filmscaused materials，
increasinginterest．Compared
Canobtaina
hetero．structurefilms as，it large
LiNb03 obviouslyadvantages，such
possess
thesubstrateand films．Until
refractiveindexdifferencebetween wave-guided now
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