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低氮气压SHS法制备AIN粉体及烧结性能的研究 摘要 以微电子技术和信息技术为代表的高新技术迅速发展，以及集成电路向 超大规模发展，对IC芯片基板材料的性能要求越来越高，除了满足集成电 路基板材料的传统性能之外，对基板材料热导率、介电常数、热膨胀系数等 提出更为严格的要求。氮化铝(AIN)是III．V族氮化物半导体中最引人注目的 材料，具有高的热导率和电阻率，低的介电常数和介电损耗，与硅相接近的 热膨胀系数、是高密度电子基板和封装的理想候选材料。然而，A1N陶瓷的 制备工艺复杂、成本高，至今未能形成大规模的生产和应用。以上各种限制 因素促使如何在低成本的前提下，制备高性能的AIN陶瓷成为当前的研究 热点之一。 高质量的A1N粉体是制备高热导A1N陶瓷的前提，因此要获得高热导 率的AIN陶瓷，首先必须获得纯度高、粒度小且分布均匀的A1N粉体。本 论文围绕传统自蔓延燃烧合成法(SHS)存在反应速度快、粉体团聚严重等缺 点，进一步通过优化工艺条件来降低生产成本和提高粉体性能；采用真空热 压烧结技术研究A1N粉体的烧结性能并对AIN陶瓷的低温烧结工艺进行探 --●一 索。 本论文对SHS法制备A1N纳米粉体进行研究，探讨原料配比、N2压力 及流量、保温时间、助燃温度、添加剂种类和数量等工艺参数对SHS法合 度分析仪对所合成的A1N粉体的物相、微观形貌、颗粒度等性能进行分析 温度为1000℃时，燃烧合成产物纯度高，粒度小且分布均匀；当含添加剂 Y20，、Dy20，时，燃烧合成产物的微观形貌为晶须、球形颗粒，以及少量的 晶棒夹杂在粉体之间，且粒度大于未含添加剂的试样；当含添加剂Nb时， 合成产物主要为一维纳米结构且沿(100)晶面存在明显择优取向。根据SEM、 纳米线则符合SLS生长机制。 以市售(合肥健坤化工有限公司)A1N粉体为对比实验，采用真空热压 烧结技术，对该实验室制备的A1N粉体进行了烧结性能的研究。定性的研 究了粉体粒径的大小、烧结助剂、烧结工艺对A1N陶瓷的影响。运用X．射 析，结果表明：该实验室制备的A1N粉体烧结活性明显高于市售A1N粉体。 在同样的工艺条件下，未含助烧结剂时，前者在烧结温度1550℃，获得致 密度高、晶粒度小且分布均匀的A1N陶瓷，而后者在1650℃时，坯体中仍 时保温90min，以本实验室制备的粉体烧结得到的A1N陶瓷晶粒细小，结构 均匀，其断面中穿晶断裂模式和沿晶模式并存，而市售AIN粉体在1650℃ 时，仍存在部分开口气孔；含助烧结剂Y203的A1N陶瓷主要以穿晶断裂模 关键词：氮化铝粉体，自蔓延燃烧合成，晶须合成机理，真空热压烧结，烧 结机理 II BYSHS SYNTHESIZED STUDYoNAlNPoWDERS PRESSUREANDTHEIR UNDERLoW METHoD N2 PRoPERTIES SINTERING ABSTRACT The ofmicroelectronic techno— rapiddevelopments scale circuitsare IC substrate integrated demandingchip logy,andsuper-large materialswith of thermal propertieshigh higherqualities．111e constantanddielect