低密度低膨胀高热导电子封装材料的研制.pdfVIP

中南人学颀‘I：学位论义 摘要 摘要 为了满足电子封装技术朝小型化、轻量化、高密度组装化方向发 展的需要，本论文选择具有低密度、低热膨胀、高热导、高比强等综 合性能优异的高硅铝合金材料作为研究对象，针对硅含量大于30％以 上的高硅铝合金压力加工易开裂的难点，重点研究了空气雾化水冷与 真空包套热挤压工艺相结合的工艺，制备了A1—30％Si、A1-40％Si材料， 并初步探讨了铸锭包覆轧制工艺、喷射沉积锭坯热锻工艺制备该材料 的可行性。利用金相显微镜、扫描电镜、万能电子拉伸机、差热分析 仪、TR一2热物性测试仪等设备系统测试和分析了该材料的显微组织、 力学和热物理性能，得出以下主要结论： 1．空气雾化一水冷的快速凝固技术所制备的高硅铝合金粉末，其 为430℃和490℃，挤压比为16时可获得较好的综合性能。 2．快速凝固热挤压工艺制备高硅铝合金时，硅含量的增加会使合 金材料的抗拉强度、导热性能、热膨胀系数下降，随着挤压温度的升 高，其抗拉强度显著降低，延伸率略有增加，材料的导热性能及热膨 胀系数提高，合金断裂方式由韧性断裂逐渐向韧性与脆性共存的混合 断裂转变。 3．铸锭包覆轧制法能制备出硅含量达到30％的高硅铝合金大规格 板材；但其存在大量的粗大硅相，导致其抗拉强度低，其断裂方式基 本上为脆性沿晶断裂。采用铸锭包覆轧制法制备高硅铝合金必须解决 初晶硅颗粒的大小、形态及分布问题。 4．喷射沉积能制备出初晶硅相非常细小的原始锭坯；原始锭坯心 部初晶硅相尺寸最小、孔隙最少，而在边部和底部略有增大，其各项 性能也略有不同；在经过热锻后续致密化DH-T：后，合金材料硅相更加 细小且分布均匀，致密度、热膨胀系数提高。 5．对于制备硅含量大于30％的高硅铝合金，快速凝固粉末冶金工 艺与喷射沉积铸锭热锻后续致密化加工方法是两种非常有发展前景的 工艺方法，值得进一步深入研究。 [关键词]：高硅铝合金，电子封装材料，快速凝固，喷射沉积，包覆轧制 中南大学硕Ij学位论义 Abstract Abstract Tomeetthedemandofthe assembleoftheelectronic article high—density packagetechnology,This choosethe siliconaluminumwhichhasthelow high alloy density,low thermal thermal coefficient(CTE)，high expansion tensile asourresearch this high strength object．Instudy, properties AI·-30％Si was andAI·-40％Si air-atomization preparedby rapid solidificationandvacuum hot—extrusion atthesame canning process．And time，we demonstratedthe of thecastclad primarily