电磁场与电磁波精品教学(温州大学)第2章 静电场.pptVIP

电磁场与电磁波精品教学(温州大学)第2章 静电场.ppt

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* * * 各向异性介质的电位移与电场强度的关系可以表示为 此式表明,各向异性介质中,电位移的方向与电场强度的方向不一定相同,电位移某一分量可能与电场强度的各个(或者某些)分量有关。电位移和电场强度的关系与外加电场的方向有关。此外,可以推知均匀介质的介电常数与空间坐标无关。线性介质的介电常数与电场强度的大小无关。静止媒质的介电常数与时间无关。 * * 对于均匀介质,由于介电常数与坐标无关,因此获得 此外,对于均匀介质,前述电场强度及电位与自由电荷的关系式仍然成立,只须将其中真空介电常数换为介质的介电常数即可。 例题:平行板电容器中充满极化率 的电介质,当自由电荷面密度为?0 时,求介质内的电极化强度P和电场强度E * * 6. 两种介质的边界条件 由于媒质的特性不同,引起场量在两种媒质的交界面上发生突变,这种变化规律称为静电场的边界条件。为了方便起见,通常分别讨论边界上场量的切向分量和法向分量的变化规律。 * * E2 E1 1 3 2 4 ?l ?h ? 1 ? 2 et 为了讨论边界上某点电场强度的切向分量的变化规律,围绕该点且紧贴边界作一个有向矩形闭合曲线,其长度为?l,高度为?h,则电场强度沿该矩形曲线的环量为 为了求出边界上的场量关系,必须令 ?h ? 0,则线积分 * * 为了求出边界上某点的场量关系,必须令 ?l 足够短,以致于在?l内可以认为场量是均匀的,则上述环量为 式中E1t 和 E2t 分别表示介质①和②中电场强度与边界平行的切向分量。已知静电场中电场强度的环量处处为零,因此由上式得 此式表明,在两种介质形成的边界上,两侧的电场强度的切向分量相等,或者说,电场强度的切向分量是连续的。 对于各向同性的线性介质,得 此式表明,在两种各向同性的线性介质形成的边界上,电位移的切向分量是不连续的。 * * ?h ?S 为了讨论电位移的法向分量变化规律,在边界上围绕某点作一个圆柱面,其高度为?h,端面为?S。那么根据介质中的高斯定律,得知电位移通过该圆柱面的通量等于圆柱面包围的自由电荷,即 D2 D1 令 ?h ? 0 ,则通过侧面的通量为零,又考虑到 ?S 必须足够小,则上述通量应为 式中D1t 及 D2t 分别代表对应介质中电位移与边界垂直的法线分量。边界法线的方向 en 规定为由介质①指向介质②。 ? 1 ? 2 en * * 求得 式中 ?s 为边界上存在的表面自由电荷的面密度。考虑到在两种介质形成的边界上通常不可能存在表面自由电荷,因此 此式表明,在两种介质边界上电位移的法向分量相等,或者说,电位移的法向分量是连续的。 对于各向同性的线性介质,得 此式表明,在两种各向同性的线性介质形成的边界上,电场强度的法向分量不连续的。 还可导出边界上束缚电荷与电场强度法向分量的关系为 * * 7. 介质与导体的边界条件 静电平衡:当孤立导体放入静电场中以后,导体中自由电子发生运动,电荷重新分布。由于自由电子逆电场方向反向移动,因此重新分布的电荷产生的二次电场与原电场方向相反,使导体中的合成电场逐渐削弱,一直到导体中的合成电场消失为零,自由电子的运动方才停止,因而电荷分布不再改变,这种状态称为静电平衡。 由此可见,导体中不可能存在静电场,导体内部不可能存在自由电荷的体分布。所以,当导体处于静电平衡时,自由电荷只能分布在导体的表面上。因为导体中不可能存在静电场,因此导体中的电位梯度为零,这就意味着导体中电位不随空间变化。所以,处于静电平衡状态的导体是一个等位体,导体表面是一个等位面。 * * 既然导体中的电场强度为零,导体表面的外侧不可能存在电场强度的切向分量。换言之,电场强度必须垂直于导体的表面,即 介质 E, D 导体 en 导体表面存在的表面自由电荷面密度为 或写为 式中? 为导体周围介质的介电常数。 已知导体表面是一个等位面,因 ,求得表面电位与电荷的关系为 考虑到导体中不存在静电场,因而极化强度为零。求得导体表面束缚电荷面密度为 * * 静电屏蔽:当封闭的导体空腔中没有自由电荷时,即使腔外存在电荷,腔中也不可能存在静电场。这就意味着封闭的导体腔可以屏蔽外部静电场,这种效应称为静电屏蔽。 当然,总电通为零可能是由于闭合面内部没有电荷,因而没有场;或者因为正负电荷相等,但是这是不可能的。因为电荷只可能分布在导体的表面上,若以正负电荷之间任一根电场线和腔壁中任一根曲线组成一条闭合曲线,由于腔壁中没有电场,沿该条闭合曲线的电场强度的环量不可能为零,这就违背了静电场的基本特性。 此外,显然若腔体接地,位于腔中的电荷也不可能对外产生静电场

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