电磁兼容培训胶片第六部分电缆EMC设计.ppt

屏蔽电场 0V 电缆长度 ?/20，单点接地 电缆长度 ?/20，多点接地 杨继深 2002年4月 * 磁场对电缆的干扰 VN VN ＝ ( d ? / dt ) = A ( dB / dt ) 磁通? 回路面积A 感应电压 当面积一定时 杨继深 2002年4月 * 减小感应回路的面积 ～ 理想同轴线的信号电流与回流等效为在几何上重合，因 此电缆上的回路面积为0，整个回路面积仅有两端的部分 ～ 杨继深 2002年4月 * 屏蔽电缆减小磁场影响 VS VS VS 只有两端接地的屏蔽层才能 屏蔽磁场 杨继深 2002年4月 * 抑制磁场干扰的试验数据 100 1M 1M 1M 100 100 每米18节 (A) (B) (D) (E) (C) 0 27 13 13 28 1M 1M 100 100 杨继深 2002年4月 * 抑制磁场干扰的实验数据 100 1M 1M 1M 100 100 每米18节 (F) (G) (I) (J) (H) 80 55 70 63 77 1M 1M 100 100 杨继深 2002年4月 * 导线之间两种串扰机理 M C IC IC IL IL R0 RL R2G R2L 杨继深 2002年4月 * 耦合方式的粗略判断 ZSZL 3002： 磁场耦合为主 ZSZL 10002： 电场耦合为主 3002 ZSZL 10002：取决于几何结构和频率 杨继深 2002年4月 * 电容耦合模型 C12 C1G C2G R C1G C2G C12 R VN ＝ V1 V1 j ? [ C12 / ( C12 + C2G)] j ? + 1 / R ( C12 + C2G)] V1 VN 杨继深 2002年4月 * 耦合公式化简 R 1 / [ j ? ( C12 + C2G )] j ? [ C12 / ( C12 + C2G)] j ? + 1 / R ( C12 + C2G)] V1 VN ＝ VN = j ?R C12 V1 R 1 / [ j ? ( C12 + C2G )] VN = V1 [ C12 / ( C12 + C2G ) ] 杨继深 2002年4月 * 电容耦合与频率的关系 耦合电压 VN = j ?RC12V1 C12V1 (C12 + C2G) VN = 1 / R (C12 + C2G) 频率 ? 杨继深 2002年4月 * 屏蔽对电容耦合的影响－全屏蔽 屏蔽层不接地：VN = VS =V1 [ C1S / ( C1S + CSG ) ]，与无屏蔽相同 屏蔽层接地时：VN = VS = 0， 具有理想的屏蔽效果 C1s C1G CsG C1G CSG C1s Vs V1 V1 Vs C2S 杨继深 2002年4月 * 部分屏蔽对电容耦合的效果 R 很大时：VN = V1 [ C12 / ( C12 + C2G + C2S ) ] C1s C1G CsG CSG C1s VN V1 V1 VN C2S C12 C12 C2G R 很小时：VN = j?RC12 杨继深 2002年4月 * 互电感定义与计算 定义： 自感L ＝ ? 1 / I1 ， 互感 M ＝ ? 12 / I1 ? 1 是电流I1在回路1中产生的磁通， ? 12 是电流I1在回路2中产生的磁通 回路1 回路2 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? a b a M = （ ? / 2 ? ）ln[b2/（b2- a2）] 杨继深 2002年4月 * * * 根据White,Donald R. J.所著“Control Methodology and Procedures”中提供的下列模型计算： 区域1( 电缆长度在第一个谐振点以下，F 75 / S )： Vmax(V) = [ S(m) ? h(m) ? F(MHz) ? E(V/m)] / 48 区域2 (长度超过 ? /2 谐振点，高度低于谐振频率 )： Vmax(V) = 2 ? h(m) ? E(V/m) 区域3 ( 超过高度h的第一个谐振点，即F 75 / h )： Vmax(V) = 150 ? E(V/m)] / F(MHz) Vmax表示这里考虑的是最坏情况。 如果高度不是0.5m，在区域1和区域2中作如下修正： 实际值 = 曲线值（dBV) + 20 lg ( h / 0.5) 举例：电缆长度为10米，高度为0.2米，短波电台的场强为3V/m，频率为3MHz 。求最大共模电压。 对应10米长的电缆的曲线为C。曲线C对应