宋志强材料论文.docVIP

Preparation of One-Dimensional Nanostructures (一维纳米材料的制备方法) 摘要:一维纳米材料是物质在纳米尺度上的一种特殊结构，具有广阔的潜在应用前景，如高密度存储记忆元件、超微型纳米阵列激光器、新型电子器件等;合成出的一维纳米材料对基础研究和应用研究具有重要意义;本文综述了一维纳米材料的合成方法以及其在能量转化、激光器和传感器等方面的应用研究情况。 关键词:一维纳米材料; 合成 　　　　　　 【Abstract】: One dimensional (1D) nanometer materials， which is a special structure of substances onnanometer dimension， has potential applications such as high density data storage， super minimized nanostructured arrays laser and new style electronic device. It is veryimportant toexplore and developnewsynthetic technologiesof1Dnanometermaterials for fundamental andapplication. In this paper ，all kinds of synthesis techniques of 1Dnanometer materials and the research on applications in energy conversion ，lasers， sensors etc were summarized.Keywords】:One dimensional Nanometermaterials; Synthesis; 目前制备一维纳米材料包括纳米电缆的方法很多，比较有代表性的有：电弧放电法、化学气相沉积法、激光溅射法、模板法。 1、Acr discharge method 电弧放电法 电弧放电法是制备纳米碳管最原始的方法，该方法也用于制备其它一维纳米材料。在一个充有一定压力的惰性气体反应室中 ，装有一大一小两根石墨棒 ，其中面积大的为阴极，小的为阳极，两极间距为 1 mm。Ebbesen [1]T W 在直流电流为 100 A，电压 18 V， Ar气压66650 Pa (500 Torr )的条件下进行实验。在放电产物中获得了大量的纳米碳管。 2、 Chemical vapor deposition 化学气相沉积法 化学气相沉积法通常是指反应物经过化学反应和凝结过程，生产特定产物的方法[2]。Yang等[3， ]将MgO与碳粉作为原材料，放入管式炉中部的石墨舟内，在高纯流动Ar气保护下将混合粉末加热到约1200℃，则生成的MgO蒸气被流动Ar气传输到远离混合粉末的纳米丝生长区，制备了定向排列的MgO纳米丝。Zhang等[5]将经过8h热压的靶(95%Si、5%Fe)置于石英管内，石英管的一端通入Ar气作为载气，另一端以恒定速率抽气，整个系统在1200℃保温20h后，成功地制备了上百微米的Si纳米线。 3、 Laser sputtering method (including laser deposition method) 激光溅射法(包括激光沉积法) 激光溅射法也是制备一维纳米材料的重要方法。激光溅射法所用的设备包括激光源、聚光镜、目标靶、管式炉、冷却环、真空泵和气流阀等几个部分组成[6]。激光溅射法最早也是用于制备纳米碳管，以后也用于制备其它一维纳米材料，如BN纳米管、Si[7]等半导体纳米线。Yang等采用准分子脉冲激光蒸镀的方法，使用波长248nm的准分子脉冲激光束对Si粉(含有杂Fe)与Ni， Co粉的混合粉末靶进行轰击，获得了直径为15nm、长度从几十微米到上百微米的Si纳米线。 4、templates 模板法 非模板法制备一维纳米材料需要使用昂贵的设备，工序复杂，而且生产效率低。相比之下，模板法制备一维纳米材料简单方便，容易控制。常用的模板有碳纳米管、多孔阳极氧化铝、聚合物膜和生命分子。这里主要介绍碳纳米管和多孔阳极氧化铝制备一维纳米材料。采用碳纳米管制备一维纳米材料是基于对碳纳米管的填充、包覆、取代、限制等反应。Dai等用纳米碳管与具有较高蒸气压的氧化物或卤化物反应，成功地合成了直径为30nm、长度达20μ的碳化物(TiC、SiC、NbC、Fe3C和BCx)实心纳米棒。我国清华大学物理系的Han等用纳米碳管模板法成功制备出SiC、Si3N4和GaN纳米线。阳极氧化铝模板孔洞分布均匀、孔径均一并可控，是