(数字电子技术)第8章半导体存储器和可编程逻辑器件.ppt

第8章 半导体存储器和可编程逻辑器件 8.1.1 半导体存储器的分类　　半导体存储器的种类很多，首先从存取功能上可以分为只读存储器(ReadOnlyMemory，ROM)和随机存储器(Random Access Memory，RAM)两大类。另外，从制造工艺上又可以把存储器分为双极型和MOS型。 存储器的存储容量和存取时间是反映系统性能的两个重要指标。 8.1.2 只读存储器(ROM)的结构及工作原理　　1. 掩膜只读存储器　 固定ROM又称为掩膜ROM，这种ROM在制造时，生产厂家利用掩膜技术把数据写入存储器中，一旦ROM制成，其存储的数据也就固定不变了。ROM的电路结构包含存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器三个组成部分，如图8.1.1所示。存储矩阵由许多存储单元排列而成。 　　1) 二极管固定ROM　 图8.1.2是具有2位地址输入码和4位数据输出的二极管固定ROM的电路结构图，2线-4线地址译码器的地址线为A1A0，输出为W0～W3，2位地址代码A1A0能给出4个不同的地址。 　　在读取数据时，首先输入指定的地址码，令　　=0，在数据输出端D3～D0可获得该地址所存储的数据字。例如当A1A0=10时，W2=1，而其他字线均为低电平。由于只有d2一根线与W2间接有二极管，因此这个二极管导通后使d2为高电平，而d0、d1和d3为低电平。如果这时　=0，即可在数据输出端得到D3D2D1D0=0100。全部4个地址内的存储内容如表8.1.1所示。 　　2) MOS管固定ROM　　MOS管固定ROM是由译码器、存储矩阵和输出缓冲器三部分组成的，但它们都是用MOS管组成的。图8.1.3给出了MOS管存储矩阵的原理图。在大规模集成电路中，MOS管大多做成对称结构，同时也为了画图的方便，一般都采用图中所用的简化画法。 　　2. 可编程只读存储器　　PROM在出厂时，存储内容为全1(或全0)，用户根据需要，将某些单元改写为0(或1)。PROM的总体结构与固定ROM一样，同样由存储矩阵、地址译码器和输出电路组成。不过在出厂时已经在存储矩阵的所有交叉点上全部制作了存储器件，即相当于在所有存储单元中都存入了1。 　　在编程前，存储矩阵中的全部存储单元的熔丝都是连通的，如图8.1.4 所示，即每个单元存储的都是1。用户可根据需要，借助一定的编程工具，将某些存储单元上的熔丝用大电流熔断，该单元存储的内容就变为0，此过程称为编程。熔丝熔断后不能再接上，故PROM只能进行一次编程。PROM的内容一经写入，就不可能修改了，所以它只能写入一次。因此，PROM仍不能满足研制过程中常修改存储内容的要求。这就要求生产一种可以擦除重写的ROM。 　　3. 可擦除的可编程只读存储器　　1) EPROM(UVEPROM)　　EPROM是采用浮栅技术生产的可编程存储器，它的存储单元多采用N沟道叠栅MOS管，所以也称这种存储单元为叠层栅存储单元，如图8.1.5所示。 　　2) E2PROM　 E2PROM只需在高电压脉冲或在工作电压下就可以进行擦除，而不要借助紫外线照射，所以比EPROM更灵活方便，而且还有字擦除(只擦一个或一些字)功能。 E2PROM的一个存储单元如图8.1.6所示，图中V2为门控管，V1是另一种叠层栅MOS管，称为浮栅隧道氧化层MOS管(Floating gate Tunnel Oxide)，简称Flotox管。它的结构如图8.1.7所示。 　　3) 快闪存储器(Flash Memory)  　图8.1.8是快闪存储器采用的叠栅MOS管的结构示意图。 图 8.1.8 叠栅MOS管的结构和图形符号 8.1.3 随机存储器(RAM)的结构及工作原理 　随机(随机读/写)存储器简称RAM。 　　1. 静态随机存储器．　　1) SRAM的静态存储单元 　SRAM的静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此，它是靠触发器的自保功能存储数据的。　 SRAM中存储单元的结构如图8.1.9所示。 　　2) SRAM的结构和工作原理　　SRAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路(也叫输入/输出电路)三部分组成，如图8.1.10 所示。　　(1) 存储矩阵。　　(2) 地址译码器。　　(3) 读/写控制电路。 　　2. 动态随机存储器　　1) DRAM的动态存储单元　　(1) 三管动态MOS存储单元。三管动态MOS存储单元的电路结构如图8.1.11 所示。存储单元以MOS管V2及其栅极电容C为基础构成，数据存于栅极电容C中。电容上的电压UC控制着V2的开关状态，给出位线上的高、低电平。控制读和写的字线和位线是分开的。读的字选线控制着V3的开