(模拟电子技术及应用）第一章半导体元件.ppt

　　1.1.1 半导体　　1.本征半导体　　自然界的各种物质，根据其导电能力的差别可分为导体、绝缘体和半导体三大类。通常将电阻率小于10－3 Ω·cm的物质称为导体，如铜、铁、铝等金属材料都是良好的导体。将电阻率大于1013 Ω·cm的物质称为绝缘体，如橡胶、塑料等。所谓半导体，是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。常用的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)等，其原子结构如图1-1所示，最外层都有四个电子。 　　 图1-1 　　用特殊工艺可将硅(Si)和锗(Ge)制成单晶体结构，单晶体结构的原子最外层电子排列如图1-2所示。在这种结构中，每个原子最外层的四个电子不仅要受到自身原子核的束缚，同时还会受到相邻原子核的吸引，于是两个相邻的原子共有一对价电子，这种结构称为共价键结构。如果这种物质中所有原子都如此排列，并且整个物质的纯净度在99.99999%以上，则称这种物质为本征半导体。 　　本征半导体在不受外界激发以及在绝对零度时(T＝0 K)不导电，但当受到阳光照射或温度升高时，将有少量价电子获得足够的能量，从而克服共价键的束缚成为自由电子，并在原来共价键的位置留下一个空位，称为空穴。自由电子和空穴像一对孪生姐妹一样相伴而生，被称为半导体的两种载流子。因此，本征半导体会在两种载流子的作用下导电，这种产生电子-空穴对的过程称为本征激发，如图1-3所示。但这种导电是由于少数自由电子游离出来而产生的，因此导电能力比较弱。本征半导体虽然有载流子存在，但仍然呈电中性。 　　 图1-2 图1-3 　　2.杂质半导体　　在本征半导体中，有选择地掺入少量其他元素，会使其导电性能发生显著变化。这些少量元素统称为杂质，掺入杂质的半导体称为杂质半导体。根据掺入杂质的不同，可将杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种。 　　1)N型半导体　　N型半导体指在本征硅(或锗)中掺入少量的五价元素，如磷、砷、锑等。由于五价元素的原子最外层有五个价电子，在其替代晶格中的某些硅原子时，它的四个价电子和周围四个硅原子组成共价键，而多出的一个价电子只能位于共价键之外，如图1-4所示，因此该电子受原子核的束缚力很小，很容易成为自由电子而参与导电。另外，还有本征激发产生的少数电子-空穴对，当掺入五价元素时，自由电子的数量远大于空穴的数量，即自由电子是多数载流子(简称多子)，空穴是少数载流子(简称少子)。这种半导体称为N型半导体或电子型半导体。 　　 图1-4 　　2)P型半导体　　P型半导体指在本征硅(或锗)中掺入少量的三价元素，如硼、铝、铟等。由于三价元素的原子最外层有三个价电子，在其替代晶格中的某些硅原子时，它的三个价电子和周围四个硅原子组成共价键，因缺少一个价电子而形成空穴，如图1-5所示，因此，该空穴吸引其他原子核外的电子定向运动而参与导电。在这种半导体中既有本征激发产生的电子-空穴对，又有掺杂形成的空穴，所以当掺入三价元素时，空穴的数量远大于自由电子的数量，即空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。这种半导体称为P型半导体或空穴型半导体。 　　 图1-5 　　 在以上两种杂质半导体中，尽管掺入的杂质浓度很小，但通常由杂质原子提供的载流子数却远大于本征载流子数，因此杂质半导体的导电能力比本征半导体要大得多。 1.1.2 PN结　　1.PN结的形成　　将P型半导体和N型半导体有机地结合在一起时，因为P区一侧空穴多，N区一侧电子多，所以在它们的界面处存在空穴和电子的浓度差。于是N区中的电子会向P区扩散，并在P区被空穴复合。而P区中的空穴也会向N区扩散，并在N区被电子复合。结果在交界面的两侧就形成了由等量正、负离子组成的空间电荷区，建立了内电场，电场方向由N区指向P区。在电场力的作用下，P区的电子向N区漂移，N区的空穴向P区漂移，因此，内电场有阻碍多子扩散、利于少子漂移的作用。 最后，因浓度差而产生的扩散力被电场力所抵消，使扩散和漂移运动达到动态平衡。这时，虽然扩散和漂移仍在不断进行，但通过界面的空穴和电子数相等，扩散与漂移平衡，空间电荷区的宽度稳定，即形成耗尽层，将其称为PN结。此时，PN结的内电势UB保持不变，对硅材料来说约为0.7 V，对锗材料来说约为0.3 V。PN结的形成过程如图1-6所示，其中图1-6(a)为载流子的扩散过程，图1-6(b)为PN结稳定过程。 　　 图1-6 　　2.PN结的单向导电性　　1)PN结加正向电压　　使P区电位高于N区电位的接法，称为PN结加正向电压或正向偏置(简称正偏)，如图1-7所示。由于正向电压和PN结的内电势方向相反，这样有利于多子扩散、抑制少子漂移的作用，因此，加正向电压时，正向电流较大，PN结处于导通状态。 　　 图1-7 　　PN结正向导通电流iD与正向电压u成指数关系，即