电子技术第6章逻辑门电路.ppt

　　2) TSL门的应用 　　在数字系统, 特别是在计算机系统中, TSL门的应用越来越广泛, 其主要用途如下:  　　(1) 用TSL门构成总线结构。 　　在计算机中, 为了减少导线的数目, 希望在同一根导线上能分时传送几个不同的数据或控制信号, 这时可用TSL门来实现, 电路的连接如图6.3.7 所示。 图 6.3.7　用TSL门构成总线结构 　　数据或控制信号, 这时可用TSL门来实现, 电路的连接如图6.3.7 所示。  　　在计算机中, 常把能分时传送信号的导线称为总线。 由图6.3.7可见, 只要让各个TSL门的控制端(　　)轮流变为低电平(任何时刻只能有一个门的　　端为低电平), 那么各个TSL门的输出F1, F2, …, Fn就可以经同一总线轮流地发送到接收端, 而不会互相干扰, 或产生数据混乱。 　　(2) 用TSL门实现数据的双向传送。 　　利用TSL门实现数据双向传送的电路连接如图6.3.8所示。 由图可见, 当TSL门的控制端　　=0时, G2门处于高阻状态, 而G1门处于允许工作状态, 则数据D1经G1门反相后经总线传送到接收方。  　　反之, 当TSL门的控制端　　=1时, G1门处于高阻状态, 而G2门处于允许工作状态, 则对方发送的数据D2经总线和G2门反相后被本端接收。 图 6.3.8　用TSL门实现数据双向传送 6.4　MOS集成门电路 　　 6.4.1　MOS反相器 　　1. NMOS反相器 　　图6.4.1所示电路为NMOS反相器。 VTN1为工作管, 栅极G1为输入端, VTN2是负载管, VTN1的漏极D1和VTN2的源极S2相连后作为输出端。 图 6.4.1　NMOS反相器 　　VTN1和VTN2均是NMOS场效应管。 　　VTN1管的跨导gm1较大, 约100～200 μA/V, 导通时电阻较小, 用RON1表示。 　　VTN2管的跨导gm2较小, 约5～10 μA/V, 导通时电阻较大, 用RON2表示。 RON2RON1, 相差约20倍以上。  　　NMOS反相器的工作原理如下: 　　当输入ui为低电平， 即UiL=0 V时, VTN1管截止, VTN2管导通。 　　输出uO=UDD－UGS2=UDD－UTN2 为高电平, 其中, UTN2是VTN1管的开电压。  　　当输入ui为高电平， 即UiH=UDD时, UGS1＞UTN1, VTN1管和VTN2管均导通。 导通后的等效电路见图6.4.1(b)。 输出电压uO由等效电路求得: 为低电平。  　　分析可知: 输入ui为低电平UiL时, 输出为高电平UOH=　UDD－UTN2, 输入ui为高电平UiH时, 输出为低电平uOL≈0 V, 故输出与输入波形反相。 　　2. CMOS反相器 　　1) 电路组成 　　CMOS反相器的电路如图6.4.2所示。 图中, VTN反相管是N沟道场效应管, VTP负载管是P沟道场效应管, 两管的栅极连接作反相器的输入端, 两管的漏极连接作反相器的输出端。 两管的开启电压分别是UTN(正值)、 UTP(负值), 电源电压UDD＞|UTN|+|UTP|。 图 6.4.2　CMOS反相器 　　2) 工作原理 　　当输入ui为高电平UiH=UDD时, VTN管的栅源电位差为UGSN=UDD＞UTN, 故VTN管导通, 而VTP管的栅源电位差UGSP=0 V＞UTP, 故VTP管截止。 VTN管的导通电阻是(Ron)N, 约为几百欧姆; VTP管的截止电阻是(Roff)P, 为100 MΩ以上。 这时反相器的输出电压 为低电平。 　　当输入ui为低电平UiL=0 V时, VTN管的栅源电位差为UGSN=0 V＜UTN, 故VTN管截止, 而VTP管的栅源电位差UGSP=－UDD＜UTP, 故VTP管导通。 VTN管的截止电阻是(Roff)N, 为100 MΩ以上; VTP管的导通电阻为(Ron)P, 约为几百欧姆。 这时反相器的输出电压uO应为高电平, 即 故输入A为“1”, 则输出F为“0”; 输入A为“0”, 则输出F为“1”。 6.4.2　CMOS逻辑门电路 　　1. “与非”门电路 　　图6.4.3是双输入端的CMOS“与非”门电路。 　　图中, 电路的两个工作管VTN1、 VTN2相串联, 两个负载管VTP1、 VTP2相并联, A、 B是电路的输入端, F是电路输出端。 图 6.4.3　CMOS“与非”门 　　CMOS“与非”门电路的工作原理如下:  　　当输入A、 B中有一个为低电平时, VTN1、 VTN2两管中必有一个以上管子处于截止状态, 而负载管VTP1、 VTP2必有一个以上管子是导通的, 电路输