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Company name LOGO EWT硅太阳电池背面PN区域界定的几种实现方法 赵恒利 涂洁磊 姚丽 李雷 李光明 何京鸿 张树明 云南师范大学太阳能研究所 教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室 云南省农村能源工程重点实验室 Company name 目录 1.引言 2.丝网印刷法 4.激光刻槽法 5.化学镀敷法 6.结论 3.二次扩散法 Company name 引言 常规硅太阳电池的缺点 正面的栅线遮挡了约8%的阳光 EWT硅太阳电池成功解决了以上难题! 电池组件封装时自动化生产的难度大 Company name 引言 EWT硅太阳电池的结构 主PN结依然位于电池正面,以有利于提高载流子的收集效率 通过导电孔把电池正面发射区和背面局部发射区 连接在一起 正负电极细栅全部交叉排列在电池背面,主栅排列 在电池背面的两侧 Company name 引言 EWT硅太阳电池的优点 正面完全没有栅线,有效受光面积的增加,可提高 光生电流的密度,从而获得较高的效率。 可实现从电池的前结和背结收集电荷,故有很高的 电荷收集率。 由于正负电极均位于电池背面,可简化光伏组件的 封装,使自动化生产更容易实现。 Company name 引言 P区和N区间隔排列在电池的背面 导电孔和背面的N型区域相连 P区和N区要靠的很近,但不能短路 电池背面PN区域的界定是实现EWT太阳电池的关键技术 Company name 丝网印刷法 扩散前丝网印刷扩散阻挡层 在扩散之前,直接在电池的背面P型区域丝网印刷 上扩散阻挡层浆料 Company name 丝网印刷法 扩散后丝网印刷耐腐蚀浆料 扩散以后,在硅片的前面和 背面间隔的N型区域丝网印刷上 耐腐蚀浆料或者是油墨,然后 用HF等腐蚀液腐蚀硅片,去除 没有印刷上耐腐蚀浆料或者是 油墨区域的n型层,这样就形成 了背面P型区域和N型区域的交 叉间隔分布,最后用溶剂将耐腐 蚀浆料或者是油墨去除。 Company name 激光刻槽法 原理 通过激光刻槽技术在电池的背面的P型区域和N型区域 间隔的划槽,去除P型区域里的N型层。 特点 相对简单、效率高,在保证电池效率的基础上可降低 成本,适合EWT电池产业化。 主要问题 刻槽精度相对于光刻技术较低 易引入损伤层,增加了少子的复合中心 Company name 激光刻槽法 扩散前进行激光刻槽 实现方法 先对硅片进行干氧氧化,形成双面的SiO2层,再进行前面的去除氧化层和制绒,接着进行激光打孔和激光刻槽,用碱溶液刻蚀损伤层,然后进行P扩散,再在前面镀上减反射膜,背面用Al蒸镀电极,最后进行PN相邻区域Al的去除,这样就实现了EWT电池背面PN区域的界定 优点 用SiO2做了背面PN区域的相互绝缘,不容易短路,成功率高,适合大规模化生产。 缺点 由于背面SiO2层的存在,P型电极和P型栅线之间必 须用激光烧烛接触技术(LFC)来形成良好的欧姆接触。 Company name 激光刻槽法 扩散后进行激光刻槽 实现方法 先将硅片的两面都扩散成N型,然后通过在背面丝 网印刷Ag/Al浆料共烧的办法补偿电池的n型层,烧结后, 直接用激光开槽实现电池背面PN区域的界定 Company name 激光刻槽法 扩散后进行激光刻槽 优点 可以把电池的周边结一起去除。 缺点 会给硅片带来新的辐射损伤,特别是在p型电极周 边形成高复合区,降低了载流子的收集。 Company name 二次扩散法 二次扩散法往往与丝网印刷法结合使用。 二次扩散实现选择性发射极结构是制备高效率EWT硅太阳 电池的重要途径,不过二次扩散法工序复杂,不易控制, 不利于大规模自动化生产。 Company name 化学镀敷法 实现方法 背面氮化硅沉积,起到钝化和减反射涂层的作用,更 重要的是,它还作为化学镀过程中的遮挡物 N型与P型栅线和母线通过激光刻槽埋栅形成 金属化是通过Ni/Cu的无电沉积形成,在化学镀过程当 中,在背面的P型与N型槽以及洞内全部进行金属化, 最后通过边缘隔离完成电池背面PN 区域的界定。 Company name 化学镀敷法 优点 避免高温过程 去除遮掩过程,并且相比于运用厚膜金属化的EWT太阳 电池的串联电阻要低 制作的EWT硅太阳电池的效率较高 缺点 工序复杂,成本高,不利于大规模自动化生产。 Company name 结论 丝网印刷法和激光刻槽法是实现EWT硅太阳 电池背面PN区域界定的主要方法。 二次扩散法与丝网印刷法相结合是实现选 择性发射极
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