第三讲脆断理论.pptVIP

* 第三讲 Griffith脆断理论 如图1所示，薄板中心裂纹长为2a，外应力为σ。当材料完好无损时，材料具有弹性应变能，其密度为1/2×应力×应变。当裂纹形成后，一部分弹性能释放出来，设材料厚度为1，所释放的弹性应变能为 式中： E──杨氏模量， β ──常数。 对于薄板，β=π，得 图3.1 平板的中心裂纹 释放的应变能做为新断面上的表面能，若用γ表示表面能密度，则表面能为： W=（4aγ）。 裂纹体的总能量为： 由上式可知，当裂纹长度达到2ac时，总能量的变化达到极大值。当裂纹长度大于2ac时，随着裂纹长度的增加，总能量下降，裂纹可自动扩展。也就是说，裂纹超过此值继续扩大的过程是系统总能量降低的过程，因而裂纹扩展的能量判据可表示为： 当d(△E)/da＝0时，为临界状态；当d(△E)/da＜0时，裂纹扩展。 也可求得裂纹扩展的临界长度为： 由此可求得裂纹扩展的临界应力为： 1． 裂纹扩展的判据： ①??? a 一定时， σ＞σc时，裂纹扩展； ②??? σ一定时， a＞ a c时，裂纹扩展。 另有判据： Gc为材料对裂纹临界扩展的抗力。该临界裂纹扩展力是一个可由实验确定的材料性质。 当G＜Gc时，裂纹不会起裂；G＝Gc是裂纹起裂扩展的必要条件，这时裂纹处于临界状态。对平衡态静止裂纹，G不可能超出Gc。 2．Griffith裂纹的形核机制： ⑴ Stroh位错塞积机制： 如图2所示，位错在运动过程中，遇到了障碍（如晶界、相界等）而被塞积，在位错塞积前端就会引起应力集中。若外加切应力为τ，塞积位错个数为n，此处应力集中为τˊ，则τˊ＝nτ。这就表明此处的应力集中比外加应力大n倍，塞积位错个数越多，应力集中程度越大。当此应力大于界面结合力或脆性第二相或夹杂物本身的结合力时，就会在界面或脆性相中形成裂纹。 图3.2 位错塞积引起裂口胚芽示意图 ⑵ Smith机制： 如果低碳钢晶界中有一层碳化物，设厚度为C0，则在铁素体内位错塞积群的应力集中可以使碳化物开裂，形成长为C0的微裂纹，如图3所示。在外应力作用下，这个Griffith裂纹向邻近铁素体扩展造成解理脆断。按照这种机制，Griffith方程中的现成裂纹2a＝C0，低碳钢有效表面能密度2γeff＝2γ＋γp≈28焦/米2。钢的解理断裂强度为： 图3.3 Smith机制──在晶界碳化物上产生微裂纹 图3.4 Cottrell机制在bcc结构中交叉滑移带形成解理裂纹核 [001]正好和（001）垂直。如果有n个位错，其柏氏矢量为[001]，就可以形成Fe解理面上的微裂纹，如图4。这需要n个 和n个 汇合起来形成以nb为柏氏矢量的大位错。这样的大位错的中心区长度为c就是一个自然的微裂纹。这种机制说明形成微裂纹比较容易，解理裂纹的关键过程在于微裂纹的扩展。Cottrell用能量方法做了定量处理。能量一共有四项： ⑶ Cottrell机制： Cottrell提出在bcc结构中两个交叉的滑移带可以产生微裂纹。在Fe晶体中， 和 两个滑移带中 和 位错通过如下反应 McMahon和Cohen证实了低碳钢晶界碳化物粗化能促进钢的解理脆断。 ①代表微裂纹的大位错的能量。设单位厚度，则大位错的长度为1。按照位错能量的公式，这项能量可以写为 ②微裂纹两表面上的表面能2γc。 ③微裂纹形成后释放的弹性应变能。这项能量为： 其中多一个因子（1-v）是考虑到平面应变。 ④在微裂纹形成之后，解理面已经有了平均位移 ，外应力σ在此位移中做了功，也构成体系的势能，其值为 。 总能量为此四项之和 *