功放分析制作.ppt

2.1 分立前置放大电路的分析与检测 一、晶体三极管 2、电流分配和放大原理 （1） 三极管放大的外部条件 （1） 输入特性 (2) 输出特性 4、 主要参数 （1） 电流放大系数，? 学习情境2 功率放大器的分析与制作 2.3 功率放大器的分析与检测 2.4 50W功率放大器制作 2.2 集成前置放大电路的分析与检测 2.1 分立前置放大电路的分析与检测 发射极 N N P 基极 集电极 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC (1) NPN型三极管 （2）PNP型三极管 1、结构 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 VCVB VCVB 集电结反偏 VBVE VBVE 发射结正偏 PNP NPN (2) 三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 （3）各电极电流关系及电流放大作用 IC 与 IB之比称为共发射极直流电流放大倍数，即： ICE0 ：集－射极穿透电流, 温度??ICEO? 三电极电流关系：IE = IB + IC 因为 IC ?? IB ， 所以 IC ? IE 。 但IB对IC有控制作用， IC随IB改变而改变。 IC的变化量 与 IB的变化量之比称为共发射极交流电流放大倍数，即： 通常? IC ?? ? IB ，因此把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 三极管的实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是电流控制型器件。 一般， 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 3、三极管特性曲线 死区电压： 硅管0.5V， 锗管0.1V。 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O 正常工作时发射结电压： 硅管:0.6~0.7V 锗管:0.2~0.3V IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 放大区 特点：在放大区有 IC=?IB ，具有恒流特性。 条件：发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 截止区 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 截止区 IB 0 以下区域为截止区。 条件：发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 特点：有 IC ? 0 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 饱和区 饱和区 特点：在饱和区，?IB ?IC，IC不受IB的控制； UCE很小，深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 条件：发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 发射极开路时，集电结在反向电压作用下，集、基极间的反向电流。ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大，ICBO越小越好。 直流电流放大系数 和交流电流放大系数? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。常用晶体管的? 值在20～200之间。 （2）集-基极反向截止电流 ICBO ICBO ?A + – EC （3）集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – 基极开路时，集电极和发射极间的反向电流，也称为穿透电流。 ICEO受温度的影响大，ICEO越小越好 极限参数： （4） 集电极最大允许电流 ICM 集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。