元器件识别与选用 第7章 半导体分立元件.ppt

小结 7.1 二极管 7.1.6 二极管的选择 1．正向特性。在二极管两端所加正向电压很小时（锗管小于0.1V，硅管小于0.5V），二极管不导通处于“死区”状态。当所加正向电压超过一定数值后，二极管才导通。电压再稍微增大，电流急剧增加。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5V～0.7V，锗管为0.1V～0.3V。 2．反向特性。二极管两端加反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安。另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 3．击穿特性。当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的二极管，反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 4．频率特性。由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗会减小直至PN结短路，导致二极管失去单向导电性，不能工作。PN结面积越大，结电容也越大，更不能在高频情况下工作。 7.2 三极管 7.2.1 三极管的分类 图7-2-1 三极管分类 7.2 三极管 7.2.2 常用三极管的外形、特点 1．小功率三极管 图7-2-2 小功率三极管实物图 7.2 三极管 7.2.2 常用三极管的外形、特点 2．中功率三极管 图7-2-3 中功率三极管实物图 7.2 三极管 7.2.2 常用三极管的外形、特点 3．大功率三极管 图7-2-4 大功率三极管实物图 7.2 三极管 7.2.3 电路图形符号 名称 电路符号 三极管旧符号 NPN 三极管新符号 NPN 7.2 三极管 7.2.3 电路图形符号 带电阻的三极管 三极管旧符号 PNP 三极管新符号 PNP 7.2 三极管 7.2.3 电路图形符号 内部带续流二极管的三极管 光敏三极管 7.2 三极管 7.2.3 电路图形符号 达林顿三极管 7.2 三极管 7.2.4 三极管的参数 7.2 三极管 7.2.4 三极管的参数 7.2 三极管 7.2.5 晶体管的选择 1、选用的晶体管切勿使工作时的电压、电流、功率超过手册中规定的极限值，应根据设计原则选取一定的余量，以免烧坏管子。 2、对于大功率管，特别是外延型高频功率管，使用中的二次击穿会使功率管损坏。为了防止二次击穿，就必须大大降低管子的使用功率和电压，其安全工作区应由厂商提供，或由使用者进行一些必要的检测而得到。 3、选择晶体管的频率，应符合设计电路的工作频率范围。 4、根据设计电路的特殊要求，如稳定性、可靠性、穿透电流、放大倍数等，均应进行合理选择。 7.3 场效应管 7.3.1 场效应管分类 图7-3-1 场效应管分类 7.3 场效应管 7.3.2 常用场效应管的外形、特点 图7-3-2 小功率JFET 1．结型场效应管 7.3 场效应管 7.3.2 常用场效应管的外形、特点 1．结型场效应管 7.3 场效应管 7.3.2 常用场效应管的外形、特点 1．结型场效应管 7.3 场效应管 7.3.2 常用场效应管的外形、特点 2．增强型MOS场效应管 7.3 场效应管 7.3.2 常用场效应管的外形、特点 2．增强型MOS场效应管 7.3 场效应管 7.3.2 常用场效应管的外形、特点 2．增强型MOS场效应管 7.3 场效应管 7.3.3 场效应管符号识别 名称 电路符号 N沟道 P沟道 J-FET J-FET旧符号 耗尽型MOS-FET 7.3 场效应管 7.3.3 场效应管符号识别 增强型MOS-FET 增强型MOS-FET旧符号 衬底与源极连接在一起的增强型MOS-FET 7.3 场效应管 7.3.3 场效应管符号识别 带续流二极管的增强型MOS-FET 栅极、源极带稳压二极管的增强型MOS-FET 栅极、源极带电阻的增强型MOS-FET 这是耗尽型双栅N沟道绝缘栅场效应管 7.4 绝缘栅双极型晶体管 7.4.1 IGBT的外形、特点 图7-4-1 常见的IGBT外形 7.4 绝缘栅双极型晶体管 7.4.2 电路图形符号 表7-4-1 IGBT的图形符号 名称 电路符号 N-Channel IGBT符号 NPT IGBT符号 7.4 绝缘栅双极型晶体管 7.4.2 电路图形符号 表7-4-1 IGBT的图形符号 内部集成二极管和电阻的N-Channel IGBT符号 内部集成反向二极管的IGBT符号 7.5 智能功率模块 7.5.1 IPM的外形、特点 图7-5-1 FSBB15CH60实物图 7.5 智能功率模块 7.