元器件识别与选用 第9章 其它常用元件.ppt

第九章 其它常用元件 主 讲 人： 联系方式： 《元器件的识别与选用》 《实用电路分析与应用》 《基于Altium Designer的电路板设计》 《电路板的焊接组装与调试 》 9.1 晶体振荡器 9.1.1 晶体振荡器的分类 9.1 晶体振荡器 图9-1-2 常见晶体振荡器 9.1.2 晶体振荡器的外形 1.晶体 图9-1-3 晶振的内部电路图 9.1 晶体振荡器 9.1.2 晶体振荡器的外形 2.晶振 图9-1-4 常见晶振外形 9.1 晶体振荡器 9.1.2 晶体振荡器的外形 2.晶振 9.1 晶体振荡器 9.1.3 晶体振荡器的主要参数 9.1 晶体振荡器 9.1.3 晶体振荡器的主要参数 参数 说明 调整频差 在规定条件下，基准温度(25℃±)时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 温度频差 在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度(25℃±)时工作频率的允许偏差。 老化率 在规定条件下，晶体振荡频率随时间所允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 静电容 等效电路中与串联臂并接的电容 负载谐振频率 在规定条件下，晶体与一个负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个；在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。 动态电阻 串联谐振频率下的等效电阻 9.1 晶体振荡器 9.1.3 晶体振荡器的主要参数 参数 说明 负载谐振电阻 在负载谐振频率时呈现的电阻值。 激励电平(功率) 晶振工作时会消耗的有效功率。在振荡回路中，激励电平应大小适中，既不能过激励(容易振到高次谐波上)，也不能欠激励(不容易起振)。常见的激励电平有2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW等。选择晶体时至少应考虑负载谐振频率、负载电容、激励电平、温度频差及长期稳定性等情况。 频率精度和频率稳定度 由于普通晶振的性能基本都能达到一般电器的要求，故对于高档设备还需要有一定的频率精度和频率稳定度。频率精度从 量级不等。稳定度从±1ppm～±100ppm不等。要根据具体的设备需要来选择合适的晶振，如通信网络、无线数据传输等系统就需要更高要求的石英晶体振荡器。因此，晶振的参数决定了晶振的品质和性能。在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振，因不同性能的晶振，其价格不同。要求越高，价格也越贵，一般选则满足要求的即可。 9.2 滤波器 9.2.1 陶瓷滤波器 图9-2-1 陶瓷滤波器的外形、电路符号 9.2 滤波器 9.2.2 声表面波滤波器 图9-2-2 声表面波滤波器的电路符号、外形及结构示意图 9.3 熔断器 9.3.1 常用熔断器的外形 名称 外形 说明 插入式熔断器 它常用于380V及以下电压等级的线路的末端，作为配电支线或电气设备的短路保护用。 螺旋式熔断器 熔体上的上端盖有一熔断指示器，一旦熔体熔断，指示器马上弹出，可透过瓷帽上的玻璃孔观察到，它常用于机床电气控制设备中。螺旋式熔断器，分断电流较大，可用于电压等级500V及其以下、电流等级以下的电路中，作短路保护。 9.3 熔断器 9.3.1 常用熔断器的外形 名称 外形 说明 封闭式熔断器 封闭式熔断器分有填料熔断器和无填料熔断器两种。有填料熔断器一般采用方形瓷管，内装石英砂及熔体，分断能力强，用于电压等级500V以下、电流等级1KA以下的电路中。无填料密闭式熔断器将熔体装入密闭式圆筒中，分断能力稍小，用于500V以下，以下电力网或配电设备中。 9.3 熔断器 9.3.1 常用熔断器的外形 名称 外形 说明 快速熔断器 它主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流，因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同，但熔体材料和形状不同，它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。 9.3 熔断器 9.3.1 常用熔断器的外形 名称 外形 说明 自复熔断器 采用金属钠作熔体，在常温下具有高电导率。当电路发生短路故障时，短路电流产生高温使钠迅速汽化，汽态钠呈现高阻态，从而限制了短路电流。当短路电流消失后，温度下降，金属钠恢复原来的良好导电。自复熔断器只能限制短路电流，不能真正分断电路。其优点是不必更换熔体，能重复使用。 9.3 熔断器 9.3.2 熔断器的参数 9.3 熔断器 9.3.2 熔断器的参数 9.3 熔断器 9.3.2 熔断器的参数 9.3 熔断器 9.3.3 熔断器的选择 熔断器的选择涉及下列因素： 1．正常工作电流。 2．施加在熔断器上的外加电压。 3．要求熔断器断开的不正常电流。 4．允许不正常电流存在的最