模电第一章演示文稿.ppt

1.3.4 晶体管的主要参数 一、直流参数 当uDS=0时，不会产生多子的定向移动，所 以漏极电流iD=0。 若uDS0,则有电流iD,如图1.4.4（a）所示。 因为栅—漏电压uGD=uGS-uDS，所以当uDS从零逐渐增大时，uGD逐渐减小,靠近漏极一边的沟道变窄，到UGD=UGS(off)时称为预夹断。如图（b）所示。在预夹断前，iD随uDS的增大而增大，D-S间呈电阻特性。 预夹断后，若uDS继续增加，则uGD夹断区加长，如图（c）所示。夹断区加长将使iD减小，但uDS增大使电场增强，从而又使iD增大，所以导致iD基本不变，呈恒流特性。 在图1.3.3中，△uI为输入电压信号，它接入基—射回路（输入回路）；放大后的信号在集—射回路（输出回路）。发射极是两个回路的公共端，故称其为共射放大电路。为保证发射结正向偏置、集电结反向偏置以使晶体管工作在放大状态。所以要加VBB和VCC。 一、晶体管内部 载流子的运动 图1..4 在图1.3.3中△uI=0时，晶体管内部载流子运动示 意图如图1.3.4所示。 1、发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE； 2、扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基 极电流IB； 3、集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流 IC。 二、晶体管的电流分配关系 IEN: 发射区向基区扩散所形成的电子电流； IEP: 基区向发射区扩散所形成的空穴电流； IBN: 基区内复合运动所形成的电流； ICN: 基区内非平衡少子（发射区扩散到基区但未被 复合的自由电子）漂移到集电区所形成的电流； ICBO:平衡少子在集电区与基区之间漂移运动所 形成的电流。 IE = IEN + IEP = ICN + IBN + IEP IC = ICN + ICBO IB = IBN + IEP－ICBO = I’B－ICBO 从外部看 IE=IC+IB 三、晶体管的共射电流放大系数 共射直流电流放大系数 整理可得 上式中ICEO称为穿透电流，物理意义为当基极 开路（IB=0）时,在VCC作用下c和e之间形成的电流。 ICBO是e开路时集电结的反向饱和电流。一般情况， IB≥ICBO， ，所以 在图1.3.3中，当有输入电压△uI作用时，在IB和IC 基础上将迭加动态电流△iB和△iC， △iC和△iB之比为 共射交流电流放大系数β 若在△uI作用下β基本不变，则集电极电流 因而 当以发射极电流作为输入电流，以集电极电流 作为输出电流时，ICN与IE之比称为共基直流电流 放大系数 根据 IC=ICN+ICBO 可得 由 IE=IC+IB 可得 或 共基交流电流放大系数 的定义为 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 输入特性曲线和输出特性曲线用于晶体管的 性能、参数和晶体管电路的估算 一、输入特性曲线 图1.3.5 UCE=0,集--射间短路,发射结和集电结并联,输入特性与PN结特性相类似,呈指数关系.UCE增大, 曲线右移,这是因为由发射区注入基区的非平衡少子有一部分越过基区和集电结形成iC,而另一部分在基区参与复合运动的非平衡少子将随UCE的增大而减小.因此,要获得同样的iB就必须加大uBE,使发射区向基区注入更多的电子. 实际上,对于确定的UBE,当UCE增大到一定值(如1V) 以后,集电结的电场已足够强,可以将发射区注入基区 的绝大部分非平衡少子都收集到集电区,因而再增大 UCE,iC也不可能明显增大,即iB已基本不变. 因此,当UCE超过一定数值后,输入特性曲线不再右 移，曲线基本重合。对于小功率晶体管，可近似地用 UCE1V的来代替UCE1V的所有曲线。 二、输出特性曲线 图 1.3.6 三个工作区域： 1、截止区 ICEO在几十甚至 1微安以下，所 以可近似认为 iC 0 2、放大区 uBEUon, 且uCE uBE 即发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。 iC仅与IB有关，而与uCE无关。 3、饱和区 uBEUon, 且 uCE uBE 即发射结和集电结均处于正向偏置。 uCE=uBE,即 uCB=0 iC不随IB变化而变化。 当uBE=uCE时，是临界饱和（临界放大）状态