半导体三极管及其放大电路课件.ppt

一、根据ui的波形在输入特性曲线上求iB 假设放大电路输入端所加信号为： 在图2-24（a）中，由静态分析可求得：UBEQ、IBQ、ICQ和UCEQ。 在图2-21（b）中有： 所以有 ：uBE=UBEQ+ube= UBEQ+ui 2.3.1 静态分析 根据uBE的波形由输入特性曲线上可以作出iB波形，如图2-28a所示。在Q点附近，ib与ube近似线性关系，即可得： 2.3.1 静态分析 图2-28a 图解法分析uBE、iB 波形 2.3.1 静态分析 二、作输出回路的交流负载线 由叠加定理知： iC=ICQ+ic， uCE=UCEQ+uce 放大电路带负载RL时，等效负载电阻记作 ， 则有：uo=uce=－ic 由此可推得： 即交流负载线方程为： 2.3.1 静态分析 在输出特性坐标上，找到满足交流负载线方程的两个特殊点Q（UCEQ，ICQ）、 P（ ，0），连接P、Q并延长，即得到交流负载线，如图2-28b所示。 如果放大电路输出端没接负载（即“空载”），则 ，即有： uCE=UCEQ+ICQRc－ iCRc = VCC － iCRc 由此可见：空载时的交流负载线与直流负载线重合。 2.3.1 静态分析 三、动态波形分析 在输出特性曲线平面上，根据iB波形沿着交流负载线，确定iC的波形，并作出uCE波形，如图2-28b所示。 通过作图可求出对应的输出电压的幅值，因此可计算出电压放大倍数Au为： 同理可求得电流放大倍数Ai为： 2.3.1 静态分析 图2-28b 图解法分析iC、uCE波形 2.3.1 静态分析 2.3.3 波形失真与工作点的关系 一、非线性失真 （1）截止失真 由三极管的工作状态进入截止区而引起波形失真，称为截止失真。 如图2-29a所示。 图2-29a Q点过低产生截止失真 2.3.1 静态分析 （2）饱和失真 三极管工作状态进入饱和区而引起的波形失真，称为饱和失真。由图2-29b所示。 如果放大电路是用PNP三极管组成的共发射极放大电路，其失真波形正好与NPN型的相反。截止失真时，uCE是底部失真；饱和失真时，uCE是顶部失真。 2.3.1 静态分析 图2-29b Q点过高产生饱和失真 2.3.1 静态分析 二、静态工作点的调整 为了获得放大电路的最大不失真输出电压，一般需要调整电路的静态工作点。 所谓最大不失真输出电压是指在逐渐增大放大电路输入信号ui的幅度，三极管尚未进入饱和或截止时，输出所能获得的最大不失真输出电压。 2.3.1 静态分析 放大电路的最大动态范围，一般用输出电压的峰—峰值UP-P表示。其取值为： UP-P=2 Ucem=min 2.3.1 静态分析 （1）静态工作点设置过低，出现截止失真。 减小Rb，使IBQ增加，从而使静态工作点Q上移。 （2）静态工作点设置过高，出现饱和失真。 增大Rb，使IBQ减小，从而使静态工作点Q下移。 2.3.1 静态分析 关于图解法分析动态特性的步骤归纳如下： （1）首先作出直流负载线，确定静态工作点Q。 （2）作出交流负载线。根据要求由交流负载线可画出输出电流、电压波形，或确定最大不失真输出电压值。 2.3.1 静态分析 2.3.4 静态工作点的稳定及偏置电路 一、温度对静态工作点的影响 温度对晶体三极管的影响，主要反映在如下三个方面（见图2-30）： （1）对UBE的影响：输入曲线左移 T↑→ UBE↓→IBQ↑→ ICQ↑ （2）对β的影响：输出曲线变稀疏 T↑→ β ↑→ ICQ↑ （3）对ICEO的影响：输出曲线上移 T↑→ ICEO ↑→ ICQ↑ 图2-30 温度对三极管参数的影响 2.3.1 静态分析 二、分压式偏置电路 图2-31 分压式电流负反馈偏置放大电路 2.3.1 静态分析 （1）电路特点 : 第一，保持基极电位VB基本恒定. 由KCL知：I1= I2+IB。在电路设计选用Rb1、Rb2时，保证I2IB，则有：I1≈ I2，因此有： 2.3.1 静态分析 上式说明VB与晶体管参数无关，不随温度变化而改变，因此VB可认为是恒定不变的。 第二，由于IE=VE/Re，所以要稳定工作点， 应使VE恒定，且不受UBE的影响，因此