发射极耦合逻辑ECL门了解自学.PPT

五、 CMOS 电路 （一）、CMOS反相器工作原理 CMOS 电路的结构特点是： 一个N沟道管和一个P沟道管配 对使用，即N、P互补（Comp- lementary）。 P管作负载管，N管作输入管， 两管栅极接在一起。 注意：P沟的开启电压是负值 栅极电压要低于源极。 两管导通时的电阻较小为RON 两管截止时的电阻很大为ROFF 当输入电压VI为低电平时，VI=0 P管导通，N管截止，输出电压V0为： ROFF V0 = —————— VDD ? VDD ROFF + RON 当输入电压VI为高电平时，VI=VDD P管截止，N管导通，输出电压V0为： RON V0 = —————— VDD ? 0 V ROFF + RON 与 E/E MOS 反相器相比，输出高电平= VDD 且总 有一个管子是截止的（稳态），工作电流极小，功耗极 低。 （二）、CMOS反相器的电压、电流传输特性 电压传输特性是指输入电压与输出电压之间的关系。 首先由CMOS反相器电路，我们先确定VI、VO与两个管 子极电压之间的关系： 对N管 VGSN=VI VDSN=VO 对P管 VGSP=VI — VDD VDSP= VO — VDD 对N沟输入管，我们关心VI在两个转折点的情况： 第一点 截止或导通 标志点在于 VGS(th)N 第二点 饱和或非饱和 标志点在于： VGSN — VGS(th)N = VDSN 由于VGSN=VI 所以可改写为： VI — VGS(th)N = VO VDSN=VO VI = VO + VGS(th)N 因此，由上述两个标志点，可将VI变化分为三个区间： 0 VGS(th)N VO + VGS(th)N VDD ? ? ? ? 同理，对P沟负载管，我们关心VI在两个转折点的情况： 第一点 截止或导通 标志点在于 VDD+ VGS(th)P 第二点 饱和或非饱和 标志点在于： VGSP — VGS(th)P = VDSP 由于VGSP=VI — VDD VDSP= VO — VDD 可改写为： VI — VDD — VGS(th)P = VO — VDD VI = VO + VGS(th)P 由上述两个标志点，可将VI变化分为三个区间： 0