(微型计算机原理）第3章半导体存储器.ppt

3.2.6 EDO RAM#, SDRAM及内存条 单片容量为 16 M×1 位、 32 M×1 位#, 64 M×1 位的DRAM芯片已在Pentium微型机中大量使用， 通常把这些DRAM芯片事先做成内存条， 用户只需要把内存条插到系统板上的内存条插座上即可。目前， EDO RAM内存条有 72 线和168线两种，而SDRAM内存条只有 168 线一种。 72 线和 168 线内存条的单条容量多为 16 MB#, 32 MB和 64 MB， 其数据总线宽度对 72 线来说为 32 位或 36 位(带奇偶校验)；对 168 线来说为 64 位。 同时， 对一般的奔腾微型机可配 72 线或 168 线内存条， 而PentiumⅡ微型机只有 168 线的内存条插座。 3.2.7 小结 1. 静态RAM 静态RAM的制造工艺多种多样，常见的有TTL工艺、 ECL工艺、NMOS工艺和CMOS工艺等，它们共同的特点是：信息存储在双稳态触发器中，因而具有工作稳定，使用方便，最大存取时间短以及不需要附加再生电路等优点。 但是采用静态RAM(CMOS工艺除外)时，只要接通电源， 触发器总是一部分导通而另一部分截止，所以单片电路总功耗较大。此外，静态RAM由于采用触发器方式存储信息，使芯片的集成度下降，成本提高。 在静态RAM中，CMOS具有超低功耗和强抗干扰性的特点，可由一个小电池供电以便保存重要的数据。因此可用作备用存储器或者便携式装置的主存储器。 2. 动态RAM及准静态RAM NMOS动态RAM的特点是集成度高、成本低、功耗小，特别是维持功耗小， 因而NMOS DRAM被广泛用作计算机的主存储器。 但DRAM的最大存取时间较长， 并且需要附加另外的再生电路， 这给使用带来麻烦。 为了弥补静态RAM集成度低、动态RAM需加再生外围电路的缺点，80年代的RAM市场上出现了一种集成动态RAM器件iRAM。iRAM把数据存储在单管存储电路中，有动态RAM的高集成度，同时又去掉了再生外围电路，采用自刷新，从外界看是静态RAM， 使用方便，而且有静态RAM的高速性。比如Intel 2186#, 2187及 Z6164 三种芯片均为 8 K×8 位的 iRAM器件。 3. 半导体RAM的易失性问题 图 3.12 电池备用电源系统 3.3 只读存储器ROM 只读存储器ROM，也称固定存储器(Fixed memory)或永久存储器(Permanent memory)， 总之，ROM中各基本存储电路所存信息是固定的、非易失性的， 因而机器运行期间只能读出不能写入， 并且在断电或故障停机之后所存信息也不会改变和消失。 ROM中信息的写入通常是在脱机或非正常工作的情况下用人工方式或电气方式写入的。对ROM进行信息写入常称为对ROM进行编程。 图 3.13 ROM结构框图 图 3.14 16×1 位ROM阵列 1. 掩模编程的ROM(Mask Programmed ROM) 掩模编程的ROM简称ROM，它是用最后一道掩模工艺来控制某特定基本存储电路的晶体管能否工作(即单向选择开关是否接通)，以便达到预先写入信息的目的。 因而制造完毕后用户不能更改所存信息。这种ROM也常称为掩模式ROM，它既可用双极工艺实现，也可用MOS工艺实现。掩模ROM中，由于只有读出所需的电路， 所以结构简单、 集成度高(约为RAM的 10 倍)、 容易接口，大批量生产时也很便宜(约为RAM价格的百分之一)。 掩模ROM主要用作微型机的标准程序存储器，如BASIC语言的解释程序、 汇编语言的汇编程序、FORTRAN语言的编译程序等。 也可用来存储数学用表(如正弦表、余弦表、开方表等)、代码转换(如BCD码转换成七段显示码等)表、逻辑函数表、固定常数以及阴极射线管或打印机用的字符产生图形等。 2. 可改写的PROM(Erasable Programable ROM) 反复编程ROM简称EPROM，是指用户既可以采取某种方法自行写入信息， 也可以采取某种方法将信息全部擦去，而且擦去后还可以重写。 根据擦去信息的方法不同EPROM又可分为两种，即紫外线擦洗的EPROM(Ultraviolet EPROM), 简称UVEPROM；电擦洗的EPROM(Electrically EPROM), 简称E2PROM(或称电改写的ROM， 即Electrically Alterable ROM, 简称EAROM)。 UVEPROM常作微型机的标准程序存