异质结与光电子器件第三章1.pptVIP

* 异质结与光电子器件 1 高速半导体器件 异质结与光电子器件 2 高速半导体器件 异质结与光电子器件 3 2 1 Eg Eg = ( ) ( ) K m m N L D m m N L D j j n p A n p n p D p n p n = = 2 3 2 2 1 2 2 3 1 1 1 2 1 2 1 2 对于同质结： (3.7) (3.8) 对于异质结： (3.9) 2. 对于存在尖峰突变异质结 势垒总高度 qVD ＝ qVD1 ＋ qVD2 如为缓变结，则 Ec ， Ev 变化为虚线， 电子应克服的势垒为： qV D - △ Ec kT Eg kT Eg Eg p n Ke Ke j j D - = = 2 1 2 1 ) 10 . 3 ( , 1 kT qV qV n D D e j - - ＝ ) 11 . 3 ( , kT Ev qV p D e j D + - ＝ ) 12 . 3 ( , kT Ev p n e j j