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CEPC顶点探测器的SOI像素 传感器研究 1,2,3 1,2 1,2 1,2 1,2,3 1,2,3 吴志岗 ，卢云鹏 ，周扬 ，董静 ，宋龙龙 ，欧阳群 1.核探测与核电子学国家重点实验室 2.高能物理研究所 3. 中国科学院大学 2018/4/26 2018年核探测与核电子学国家重点实验室年会@高能所 1 提纲 • 背景介绍 ─CEPC顶点探测器设计要求与挑战 ─SOI像素传感器用于顶点探测器的可行性 2 • 基于Allpix 的空间分辨率模拟 • CPV2设计概念 • 基础性能测试 ─传感器耗尽特性测试 ─ 电路参数刻度 ─ 噪声水平测试 • 基于聚焦激光束的空间分辨测试 ─实验装置配置 ─激光束响应 ─空间分辨测试结果 • 年度进展总结 2018/4/26 2018年核探测与核电子学国家重点实验室年会@高能所 2 CEPC顶点探测器设计要求与挑战 • 探测器应具有对b-/c-jet 以及τ轻子很好的鉴别能力 ─应具有小的impact parameter resolution a=5, b=10 • 顶点探测器设计要求 ─最内层探测器空间分辨优于3um(2.8um) 小像素 ─探测器的物质的量低于0.15% X0/layer 薄、低功耗 ─最内层探测器距离对撞顶点近(16mm) 快读出、抗辐照 像素尺寸小、传感器厚度薄、具有像素内甄别器的数字读出芯片 2018/4/26 2018年核探测与核电子学国家重点实验室年会@高能所 3 SOI像素传感器 • 用于CEPC顶点探测器的可行性分析 ─ 电路层工业级的0.2um CMOS工艺 ─高阻的衬底（大于10kΩcm ）, 易实现传感器全耗尽 ─像素尺寸可以做得很小（小于10um） ─传感器厚度可以减薄到50um ─ Double SOI结构可以有效解决电荷收集极与电路层间的串扰 ─ Double SOI结构可以加补偿电压以减少TID效应的不利影响 2018/4/26 2018年核探测与核电子学国家重点实验室年会@高能所 4 2 基于Allpix 的空间分辨率模拟 2 • Allpix 介绍 ─模拟载流子在传感器中的输运过程 • 空间分辨率模拟 ─ 随像素尺寸变化 ─ 阈值200e- ─ X方向垂直入射，Y方向偏10° ─ 随阈值变化 ─ 像素尺寸16um 分辨率 分辨率 (um) (um) 像素尺寸(um) - 阈值(e ) 2018/4/26 2018年核探测与核电子学国家重点实验室年会@高能所